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하기 화학식 Ⅰ로 표시되는 고불소화 공중합체로 피복된 안료 입자를 포함하는 안료 분산액:[화학식 Ⅰ]상기 화학식 Ⅰ에서, m은 10 내지 50의 정수이고, n은 3 내지 25의 정수이며, r은 랜덤공중합체를 의미한다
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제 1 항에 있어서, 상기 안료 분산액은 하이드로플루오로에테르(hydrofluoroether)계 또는 퍼플루오로카본(perfluorocarbon)계 용제를 포함하는 안료 분산액
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제 2 항에 있어서, 상기 고불소계 용제는 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로-4-(1,1,2,3,3,3-헥사플루오로프로폭시)펜테인[1,1,1,2,3,3-hexafluoro-4-(1,1,2,3,3,3-hexafluoropropoxy)pentane] 또는 3-에톡시-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-도데카플루오로-2-(트리플루오로메틸)헥세인[3-ethoxy-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-dodecafluoro-2-(trifluoromethyl)hexane]인 안료 분산액
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하기 화학식 A로 표시되는 공중합체와 하기 화학식 B로 표시되는 공중합체가 클릭화학반응(Click reaction)하여 안료 입자 외곽을 둘러싸면서 하기 화학식 I의 고불소화 공중합체가 형성되는 원-팟 합성단계(One-pot Synthesis);를 포함하는 안료 분산액의 제조방법:[화학식 A][화학식 B][화학식 I]상기 화학식 A 및 화학식 I에서, m은 10 내지 50의 정수이고, n은 3 내지 30의 정수이며, r은 랜덤공중합체를 의미한다
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제 4 항에 있어서, 상기 화학식 A로 표시되는 공중합체는 수평균분자량(Mn)이 4,000 내지 8,000이고, 중량평균분자량(Mｗ)이 5,000 내지 30,000이고, 분자량분포(Mｗ/Mn)가 1
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제 4 항에 있어서, 상기 화학식 A로 표시되는 공중합체는 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-헵타데카플루오로데실 메타크릴레이트(FDMA) 단량체와 알릴 메타크릴레이트(AMA)가 2
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제 1 항 내지 제 3 항 중에서 선택된 어느 한 항의 안료 분산액 1ℓ에 대해,고불소화 고분자 바인더 100 내지 500 g; 및광산 발생제 10 내지 50 g; 를 포함하는 포토레지스트 조성물
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제 7 항에 있어서,상기 고불소화 고분자 바인더는 폴리(세미-퍼플루오로데실 메타크릴레이트-코-글리시딜 메타크릴레이트[poly(semi-perfluorodecyl methacrylate-co-glycidyl methacrylate)][P(FDMA-r-GMA)]인 포토레지스트 조성물
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제 7 항에 포토레지스트 조성물로 형성된 컬러필터
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제 9 항의 컬러필터를 포함하는 유기 발광 표시 장치
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제 10 항에 있어서,복수개의 화소들을 각각 포함하는 단위화소를 포함하는 것으로서, 상기 각 화소는,제1전극과,상기 제1전극 상에 배치된 유기발광층과,상기 유기발광층 상에 배치되고 투명한 금속 물질로 형성된 제2전극과,상기 제2전극을 덮는 봉지막과, 상기 봉지막 상에 배치된 반투과 전극을 포함하되,상기 컬러필터는 상기 봉지막 상에서 상기 각 화소와 대응되는 영역에 배치되는 유기 발광 표시 장치
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제 7 항의 포토레지스트 조성물을 제조하는 제 1공정;상기 포토레지스트 조성물을 기판에 도포하는 제 2공정;상기 기판을 가열 처리하여 박막을 형성하는 제 3공정;상기 박막에 자외선을 조사한 후, 가열 처리하는 제 4공정; 및상기 박막을 현상액으로 현상하고, 기판 상에 패턴을 형성하는 제 5공정;을 포함하는 착색 패턴 형성 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 제 3공정의 가열 처리는 90 내지 130℃에서 30 초 내지 2 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 착색 패턴 형성 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 제 4공정은 박막에 자외선을 0
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