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미세 전극의 제조 방법에 있어서,금속층을 증착하는 단계;상기 금속층 위에 폴리머(polymer)를 전기 방사하여 마스크를 증착하는 단계;상기 금속층을 선택적으로 식각하는 단계; 및상기 폴리머를 제거하는 단계를 포함하고,상기 마스크를 증착하는 단계는,상기 미세 전극이 가질 투과도 및 전기화학 임피던스 중 적어도 하나에 기초하여 상기 폴리머가 전기 방사되는 시간을 조절하는 단계를 포함하고,상기 금속층을 증착하는 단계는,상기 전기화학 임피던스에 기초하여 상기 금속층의 두께를 조절하는 단계를 포함하는, 미세 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 마스크를 증착하는 단계는,상기 폴리머를 전기 방사하여 나노 네트워크 형태의 마스크를 증착하는 단계를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 시간을 조절하는 단계는,상기 투과도를 증가시키기 위해 상기 시간을 감소시키는 단계를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 두께를 조절하는 단계는,상기 임피던스를 감소시키기 위해 상기 두께를 증가시키는 단계를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속층은,크롬 및 금 중에서 적어도 하나를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각하는 단계는,상기 금속층을 나노 네트워크 구조로 제조하는 단계를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각하는 단계는,습식 식각, 건식 식각 및 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching) 중에서 적어도 하나의 방법을 이용하여 식각하는 단계를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리머는,폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA)를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제거하는 단계는,상기 폴리머를 리프트 오프(lift-off) 공정을 통해 제거하는 단계를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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기판 위에 포토레지스트(photoresist)를 패터닝하는 단계; 및상기 포토레지스트 위에 금속층을 증착하는 단계;상기 금속층 위에 폴리머(polymer)를 전기 방사하여 마스크를 증착하는 단계;상기 금속층을 나노 네트워크 구조로 식각하는 단계; 및상기 포토레지스트를 리프트 오프하여 미세 전극을 생성하는 단계를 포함하고,상기 마스크를 증착하는 단계는,상기 미세 전극이 가질 투과도 및 전기화학 임피던스 중 적어도 하나에 기초하여 상기 폴리머가 전기 방사되는 시간을 조절하는 단계를 포함하고,상기 금속층을 증착하는 단계는,상기 전기화학 임피던스에 기초하여 상기 금속층의 두께를 조절하는 단계를 포함하는, 미세 전극 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 시간을 조절하는 단계는,상기 나노 네트워크 구조 사이의 공백을 증가시키기 위해 상기 시간을 감소시키는 단계를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 두께를 조절하는 단계는,상기 나노 네트워크 구조의 유효 표면적을 증가시키기 위해 상기 두께를 증가시키는 단계를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 폴리머는,폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA)를 포함하는 미세 전극 제조 방법
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제1항, 제2항, 제5항, 제7항 내지 제13항, 제15항, 제17항 및 제18항 중 어느 한 항의 미세 전극 제조 방법에 의하여 제조된 미세 전극
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