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몰리브덴(Mo)을 포함하는 산화주석(SnO2) 박막을 포함하는,황화수소 센서
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제1항에 있어서,상기 센서는 이온코팅(Ion Coating)에 의해 제조된 것을 특징으로 하는,황화수소 센서
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제2항에 있어서,상기 센서는 황화수소에 노출되면 저항 변화가 발생하는 것을 특징으로 하는,황화수소 센서
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제3항에 있어서,상기 몰리브덴은 상기 산화주석 박막의 표면에 포함된 것을 특징으로 하는,황화수소 센서
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제4항에 있어서,상기 황화수소 센서는 상기 산화주석을 기준으로,상기 몰리브덴이 15% 이하로 포함된 것을 특징으로 하는,황화수소 센서
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제3항에 있어서,상기 센서는 황화수소에 노출되었을 때, 저항변화율이 50% 이상인 것을 특징으로 하는,황화수소 센서
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제6항에 있어서,상기 센서는 황화수소에 노출되어 저항 변화가 발생하고,이 후에 황화수소가 제거되면,상기 센서의 저항 변화가 80초 이내에 80% 이상 회복되는 것을 특징으로 하는,황화수소 센서
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산화주석(SnO2) 박막 상에 몰리브덴(Mo)을 이온코팅(Ion Coating)하는 단계;를 포함하는,황화수소 센서 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 이온코팅 단계에서,상기 산화주석을 기준으로,상기 산화주석 표면 상에 상기 몰리브덴을 15%이하로 첨가하는 것을 특징으로 하는,황화수소 센서 제조 방법
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