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주석산화물 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015161286
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 주석산화물에 다른 금속산화물을 첨가하여 높은 감도 특성을 유지하면서 회복능력도 향상된 주석산화물 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은, 기판과, 상기 기판의 상면에 형성된 전극과, 상기 전극을 커버하며, 주석산화물(SnO2)에 안티몬산화물(SbO2) 및 몰리브덴산화물(MoO2)을 첨가하여 만들어진 감지물질로 형성된 감지막과, 상기 기판의 하면에 형성된 히터를 포함하는 주석산화물 센서 및 그 제조방법을 제안한다. 이처럼, 주석산화물에 안티몬산화물 및 몰리브덴산화물을 첨가하여 제조한 감지물질은 회복성이 좋다.또한, 니켈산화물을 주석산화물에 첨가하여 감지물질을 제조하면 감도가 좋다.가스센서, 주석산화물, 유사화학작용제, 금속산화물
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 33/00 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020070008516 (2007.01.26)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0867576-0000 (2008.11.03)
공개번호/일자 10-2008-0070418 (2008.07.30) 문서열기
공고번호/일자 (20081110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재창 대한민국 대구광역시 동구
2 이수출 대한민국 경상북도 경산시 원효로**길
3 최호윤 대한민국 경상북도 김천시
4 이수재 대한민국 대구 달서구
5 이우석 대한민국 대구광역시 남구
6 정석용 대한민국 대구광역시 북구
7 이덕동 대한민국 대구 수성구
8 허증수 대한민국 대구 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김일환 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)
2 이지연 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0082261-44
2 대리인변경신고서
Agent change Notification
2007.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0343591-06
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0061433-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0018732-94
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0185924-89
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0185923-33
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0381972-59
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.08.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0036119-86
10 등록결정서
Decision to grant
2008.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0482981-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
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번호 청구항
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삭제
2 2
삭제
3 3
기판과;상기 기판의 상면에 형성된 전극과;상기 전극을 커버하며, 주석산화물(SnO2)에 안티몬산화물(SbO2), 몰리브덴산화물(MoO2) 및 니켈산화물(NiO)을 첨가하여 만들어진 감지물질로 형성된 감지막과;상기 기판의 하면에 형성된 히터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주석산화물 센서
4 4
제3항에 있어서,상기 감지물질의 전체중량 대비, 상기 안티몬산화물은 0
5 5
제3항에 있어서,상기 기판은 알루미나 기판이고, 상기 전극은 한쌍의 백금 전극으로 만들어지며, 상기 히터는 한쌍의 전극을 가지는 백금으로 만들어진 저항체인 것을 특징으로 하는 주석산화물 센서
6 6
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7 7
삭제
8 8
기판의 상면에 전극을 형성하는 단계와;상기 전극을 커버하며, 주석산화물(SnO2)에 안티몬산화물(SbO2), 몰리브덴산화물(MoO2) 및 니켈산화물(NiO)을 첨가하여 감지막을 형성하는 단계와;상기 기판의 하면에 히터를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주석산화물 센서의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 감지막 형성 단계에서, 전체중량 대비, 상기 안티몬산화물은 0
10 10
제8항에 있어서,상기 감지막은 스크린 인쇄법 또는 플라즈막 증착 방법 중 어느 하나의 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 주석산화물 센서의 제조방법
11 11
제8항에 있어서,상기 주석산화물 센서는, 물리적 혼합법, 함침법, 공침법, 졸-겔법 중의 어느 하나의 공정 또는 이들 중 2 이상의 조합에 의한 공정에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 주석산화물 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.