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다양한 형태를 갖는 고밀도 신경 프로브 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2021009991
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다양한 형태를 갖는 고밀도 신경 프로브의 제조방법 및 이를 통해 제조된 신경 프로브에 관한 것으로써, 본 발명에 따른 신경 프로브 제조방법은 포토리소그래피 공정과 식각 공정만을 사용하므로 제조 과정이 간단하며, 공정 장비나 조건에 따라 특성 변화를 최소화할 수 있어 높은 수율을 확보할 수 있는 기술이기에 상용화 측면에서 유리하다. 또한, 본 발명에 따른 신경 프로브 제조방법은 등방성 DRIE 공정과 패턴 기술을 통해 날카로운 창 형태의 니들 제작이 용이하므로 조직 손상을 최소화할 수 있는 초소형 신경프로브 제작이 가능하다. 또한, 마스크에 포함된 패턴 형태에 따라 다양한 모양의 니들 형태 구현이 가능하며, 패턴의 크기와 패턴 간의 간격을 조절하여 프로브에 포함된 니들의 높이 조절할 수 있으므로 서로 다른 높이의 복수의 니들을 포함하는 신경 프로브의 제작이 가능하다. 또한, 이에 따라 제조된 본 발명의 신경 프로브는 조직 세포의 분포나 형태에 따라 최적화 설계가 가능하여 성능을 극대화할 수 있다.
Int. CL A61N 1/05 (2006.01.01) A61N 1/36 (2006.01.01) A61B 5/24 (2021.01.01) A61B 5/00 (2021.01.01)
CPC A61N 1/0529(2013.01) A61N 1/3605(2013.01) A61N 1/36125(2013.01) A61B 5/24(2013.01) A61B 5/6877(2013.01) A61B 2562/125(2013.01) A61B 2562/0209(2013.01)
출원번호/일자 1020200011815 (2020.01.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0098079 (2021.08.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.01.31)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임매순 서울특별시 성북구
2 이병철 서울특별시 성북구
3 윤영준 서울특별시 성북구
4 박진수 서울특별시 성북구
5 곽승민 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2020-0104887-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
다수의 패턴을 포함하는 마스크를 준비하는 단계;기재 상에 포토레지스트(Photo resist; PR)를 도포하는 단계;상기 포토레지스트가 도포된 기재 상에 상기 마스크를 이용하여 포토리소그래피 공정으로 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 기재를 이방성 식각하여 트렌치(trench)를 형성하는 단계; 및상기 형성된 트렌치를 등방성 식각하는 단계를 포함하는 신경 프로브 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 등방성 식각하는 단계는상기 트렌치가 형성된 기재 일면의 포토레지스트를 제거하는 단계;상기 기재의 타면에 포토레지스트로 도포된 기재를 본딩하는 단계; 및상기 기재 일면에 있는 트렌치를 등방성 식각하는 단계를 포함하는 신경 프로브 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 다수의 패턴은 다각형 형상 및 원형 형상으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 신경 프로브 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 다각형 형상은 삼각형, 마름모, 오각형, 사다리꼴, 및 십자형으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 신경 프로브 제조방법
5 5
제3항에 있어서,상기 원형 형상은 원 및 타원으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 신경 프로브 제조방법
6 6
제3항에 있어서,상기 다수의 패턴은 일정간격으로 이격되어 배치된 것인 신경 프로브 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 간격은 1~1000μm인 신경 프로브 제조방법
8 8
제3항에 있어서,상기 패턴 크기가 1~1000μm인 신경 프로브 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조되어 다양한 형태의 복수의 니들을 포함하는 신경 프로브
10 10
제9항에 있어서,상기 복수의 니들의 높이가 1~5000μm인 신경 프로브
11 11
제9항에 있어서,상기 복수의 니들의 크기가 1~1000μm인 신경 프로브
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.