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고분자 기지; 및상기 고분자 기지 내에 인-시츄 에칭(in-situ etching)되어 분산된 금속 나노입자,를 포함하며,상기 금속 나노입자의 크기에 따른 계층구조를 가지는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 기지 내의 상기 금속 나노입자 사이의 간격이 멀수록 저항이 증가하는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노입자와 상기 고분자 기지의 일함수 차이가 클수록 저항의 증가율이 커지는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 기지의 단량체 구성비에 따라 일함수가 변화하는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노입자는 계층 구조에 따른 전자 터널링 네트워크를 형성하는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체
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제 5 항에 있어서,상기 금속 나노입자의 전자가 터널링에 의해 다른 금속 나노입자로 이동하는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 고분자는 폴리우레탄(polyurethane), 열가소성 폴리우레탄(Thermoplastic polyurethane), 에틸렌-비닐 아세테이트(ethylene vinyl acetate), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 에폭시 수지(epoxy resin) 및 페놀 수지(phenolic resin), 폴리염화비닐(Poly vinyl Chloride), 실리콘 수지(silicone resin), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly methyl methacrylate), 폴리에틸렌(poly ethylene), 폴리프로필렌(poly propylene), 천연 고무(natural rubber), 합성고무(synthetic rubber) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노입자는 Ag, Au, Pd, Pt, Ir, Rh, W, Ni, Cu, Fe, Mn, Ru, Cr, Mo, Nb, V 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체
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고분자 기지를 용매에 첨가하여 용액을 형성하는 단계;상기 용액에 금속 플레이크 및 상기 용매의 과산화물을 첨가하여 혼합 용액을 제조하는 단계;상기 혼합 용액을 인-시츄 에칭시키는 단계;상기 혼합 용액을 교반하여 상기 용매를 증발시키는 단계;를 포함하는,고분자-금속 나노입자 복합체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 혼합 용액을 기판 상에 도포하는 단계를 추가 포함하는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 인-시츄 에칭은 음파처리(sonication)에 의해 수행되는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 인-시츄 에칭에 의해 금속 나노입자가 고분자 기지 내에 분산되는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 용매는 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran), 과산화수소(H2O2), HCL:FeCl3, HCL:K3[Fe(CN)6], HCL:Fe(NO3)3, HCL:HNO3, H2O:HNO3 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속 플레이크는 Ag, Au, Pd, Pt, Ir, Rh, W, Ni, Cu, Fe, Mn, Ru, Cr, Mo, Nb, V 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것인,고분자-금속 나노입자 복합체의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 고분자-금속 나노입자 복합체를 포함하는, 인장 센서
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