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a) 기판 위에 투명 전도성막을 코팅 및 식각하여 소정 패턴의 하부 전극을 형성하는 단계와;b) 상기 하부 전극이 형성된 기판에 HTL(Hole Transport Layer) 물질을 증착하여 HTL을 형성하는 단계와;c) 상기 HTL이 형성된 기판에 패시베이팅 에이전트(passivating agent)가 첨가되지 않은 페로브스카이트 전구체와 첨가된 페로브스카이트 전구체를 이용하여 페로브스카이트 박막과, 그 결정립계면에 패시베이션 막을 각각 형성하는 단계와;d) 상기 페로브스카이트 박막 위에 ETL(Electron Transport Layer) 물질을 증착하여 ETL을 형성하는 단계; 및e) 상기 ETL이 형성된 기판에 금속 파티클이 용해된 용액을 도포 및 열처리하여 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 a)에서 상기 하부 전극은 ITO, FTO, IZO 중 적어도 하나를 포함하는 투명 전도성 산화물(TCO) 기판으로 구성되는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 단계 b)에서 상기 HTL은 투명 전도성 산화물(TCO) 기판 위에 PTAA, P3HT, Spiro, NiO, NiOx, Cu2O 중 적어도 하나를 포함하는 p-type HTL 물질을 증착함으로써 형성되는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 c)에서 상기 페로브스카이트 전구체는 ABX3 구조의 유무기 하이브리드 페로브스카이트 전구체인 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 ABX3 구조의 A 사이트(site)는 MA(methylammonium), FA(formamidinium), Cs, Rb 중 하나인 유기 양이온 및 이들의 조합으로 구성되고, B 사이트는 Pb, Sn, Ge, Cu 중 하나인 양이온 및 이들의 조합으로 구성되며, X 사이트는 I, Br, Cl, F 중 하나인 할로겐 음이온 및 이들의 조합으로 구성된 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 단계 c)에서 상기 페로브스카이트 전구체를 제조하는 단계를 더 포함하는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 페로브스카이트 전구체는 전구체 용액의 형태로 구성되며, 상기 전구체 용액의 용매로는 DMF(dimethylformamide), NMP(N-Methyl-2-Pyrrolidone), DMSO(dimethyl sulfoxide) 중 적어도 하나를 포함하는 극성 비양자성 용매(polar aprotic solvent)를 사용하는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 페로브스카이트 전구체를 제조할 시, 상기 A, B, X의 각 사이트의 비율을 조절하여 조성을 바꾸고 페로브스카이트 박막의 결정립계에 패시베이션 막(passivation layer)을 형성할 수 있는 패시베이팅 에이전트를 첨가하는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 패시베이팅 에이전트는 CN(Cyanide), SCN(Thiocyanate), OCN(Cyanate), Cl-화합물, poly(methyl methacrylate)(PMMA), poly(4-vinylpyridine)(PVP) 중 어느 하나인 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 c)에서 상기 페로브스카이트 박막을 형성함에 있어서, 스핀 코팅, 프린팅, 기상 증착 중 어느 하나의 방법을 사용하여 페로브스카이트 박막을 형성하는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 페로브스카이트 박막을 형성함에 있어서, 패시베이팅 에이전트가 포함된 전구체 용액을 기판에 도포한 뒤, 반용매(anti-solution)로 결정화한 다음, 열처리(어닐링) 단계를 거쳐 페로브스카이트 박막을 형성하는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 반용매는 클로로벤젠(chlorobenzene), 톨루엔(toluene), 에틸 아세테이트(ethyl acetate), 디에틸 에테르(diethyl ether), 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol) 중 어느 하나인 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 d)에서 상기 ETL은 TiO2, C60, SnO2, PC60BM, ZnO 중 어느 하나로 구성된 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 ETL은 스퍼터링(sputtering), 증발(evaporating), ALD, solution 공정 중 하나를 사용하여 형성하는 암전류 특성이 개선된 페로브스카이트 수광소자의 제조방법
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