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기판 상에 페로브스카이트층을 형성하는 단계; 상기 페로브스카이트층의 상부에 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층의 상단에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트층에 대한 노광 및 현상을 적용하는 단계; 및 상기 노광 및 현상에 의해 형성된 상기 포토레지스트층의 패턴에 대응하여 상기 보호층 및 상기 페로브스카이트층을 식각하는 단계를 포함하는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법
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제1항에 있어서, 상기 보호층을 형성하는 단계는,상기 페로브스카이트층의 상부에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층의 상부에 산화막층을 형성하는 단계를 포함하는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법
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제2항에 있어서, 상기 산화막층은 ALD(atomic layer deposition) 공정에 의해 형성되는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법
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제3항에 있어서, 상기 ALD 공정의 전구체로서 Tetrakis(dimethylamino)tin(IV)(TDMASn) 및 H2O가 사용되고, 퍼징 가스로서 Ar 또는 N2가 사용되는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법
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제2항에 있어서, 상기 산화막층은 AZO, Al2O3, ZnO, TiO2, SnO2, 또는 ZTO 중 적어도 하나로 구성되는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법
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제2항에 있어서, 상기 버퍼층은 열 증착, 스핀 코팅, 닥터블레이드 코팅, 또는 스프레이 코팅에 의해 형성되는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법
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제2항에 있어서, 상기 버퍼층은 하이드록실 그룹(-OH)을 갖는 화합물 또는 나노 파티클로 구성되는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법
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제6항에 있어서, 상기 버퍼층은 Phenyl-C61-butyric, acid methyl ester(PCBM), C60 + Polyethylemine(PEIE), 또는 AZO(nanoparticle) 중 적어도 하나로 구성되는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법
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제2항에 있어서, 상기 버퍼층은 C60 + Polyethylemine(PEIE) + AZO(nanoparticle)로 구성되고,상기 산화막층은 SnOx로 구성되는 유무기 복합 페로브스카이트의 패터닝 방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 패터닝된 유무기 복합 페로브스카이트 패턴을 포함하는 반도체 또는 디스플레이 소자
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