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(a) 부재 상에 수 마이크로미터 크기의 포토레지스트 패턴을 선택적으로 형성하는 단계;(b) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 부재 상에 인히비터(inhibitor)를 형성하는 단계;(c) 상기 부재 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;(d) 상기 부재 상의 포토레지스트 패턴이 제거된 부분에 용액 공정을 이용하여 페로브스카이트 전구체 용액을 도포하여 코팅하는 단계; (e) 상기 페로브스카이트 전구체 용액을 결정화시키는 동시에 또는 그 후에 페로브스카이트 결정립을 성장시켜 단결정 페로브스카이트 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴의 크기는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 인히비터(inhibitor)는 소수성을 나타내며, 상기 부재는 친수성을 나타내는 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 인히비터(inhibitor)는 RnSiX4-n, RSi(OR'), R-SH, R-OH, R-COOH 및 R-PO(OH)2 중에서 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법(상기 화학식에서 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환의 소수성을 나타내는 탄화수소이고, 여기서 치환기는 할로겐 원소 또는 아민이며, n은 1, 2 또는 3이다)
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(e)에서, 상기 페로브스카이트 결정립의 성장은,상기 페로브스카이트 전구체 용액이 도포된 부재를 반용매(anti-solvent)로 처리하는 단계; 및상기 반용매(anti-solvent)처리 후 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 페로브스카이트 전구체 용액은 유기할로겐화물, 금속할로겐화물 및 첨가제를 유기 용매에 용해시키는 것에 의해 형성되며, 상기 첨가제는 염화물과 티오시안 화합물 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 유기할로겐화물, 금속할로겐화물 및 첨가제는 몰비를 기준으로 1 : x : y 인 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법(상기에서, 0003c#x≤10 및 0003c#y≤1이다)
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제 5 항에 있어서, 상기 열처리는 80 내지 180℃에서 진행하는 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(e)에서, 상기 페로브스카이트 결정립의 성장은,상기 페로브스카이트 전구체 용액이 도포된 부재를 반용매(anti-solvent)로 처리하는 단계; 및상기 반용매(anti-solvent)처리 후 열처리시 유기용매를 추가로 적하하여 상기 유기 용매의 기화를 통해 유기 용매 분위기를 조성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 페로브스카이트 전구체 용액은 유기할로겐화물 및 금속할로겐화물을 유기 용매에 용해시키는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법
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11
제 9 항에 있어서,상기 열처리는 80 내지 180℃에서 진행하는 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법
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12
제 1 항에 있어서,상기 결정립의 크기는 상기 포토레지스트 패턴의 크기와 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 단결정 페로브스카이트의 선택적 증착 방법
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기판 상에 배치되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치되고 제 1 항에 따른 방법에 의해 선택적으로 증착된 단결정 페로브스카이트 패턴;상기 단결정 페로브스카이트 패턴 상에 배치되는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자
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14
제 13 항에 있어서, 상기 반도체층은 전자이송층(Electron Transport Layer, ETL) 또는 정공이송층(Hole Transport Layer, HTL)인 것을 특징으로 하는 광전 소자
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15
기판 상에 서로 이격되어 배치되는 다수 개의 하부 전극;상기 하부 전극 상에 각각 배치되고 제 1 항에 따른 방법에 의해 선택적으로 증착된 단결정 페로브스카이트 패턴;상기 단결정 페로브스카이트 패턴 상에 각각 배치되는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 각각 배치되는 다수 개의 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자 어레이
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