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제1 전극,상기 제1 전극 위에 위치하는 PEDOT:PSS(폴리에틸렌-디옥시티오펜:폴리스티렌-술포네이트, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-Poly(styrene sulfonate))를 포함하는 정공 주입층,상기 정공 주입층 위에 별개의 층으로 위치하고, PANI:PSS(폴리아닐린:폴리스티렌-술포네이트, polyaniline-poly(4-styrenesulfonate))를 포함하는 도전성 고분자 박막층,상기 도전성 고분자 박막층 위에 위치하고, PVK(poly-n-vinylcarbazole)를 포함하는 정공 수송층,상기 정공 수송층 위에 위치하는 발광층,상기 발광층 위에 위치하고, 산화아연(ZnO)을 포함하는 전자 수송층, 및상기 전자 수송층 위에 위치하는 제2 전극 을 포함하고,상기 발광층은 셀렌화카드뮴(CdSe)을 포함하는 코어와 상기 코어를 둘러싸고 황화아연카드뮴(CdZnS)을 포함하는 쉘을 포함하는 나노 구조체를 포함하고상기 도전성 고분자 박막층의 상기 PANI(폴리아닐린)에 대한 상기 PSS(폴리스티렌-술포네이트)의 비는 1:1 내지 1:30이고,상기 도전성 고분자 박막층의 두께는 5nm 내지 10nm이고,상기 도전성 고분자 박막층의 일함수는 4
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제1항에서,상기 도전성 고분자 박막층의 상기 PANI(폴리아닐린)에 대한 상기 PSS(폴리스티렌-술포네이트)의 비는 1:8 내지 1:13인 발광 소자
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제1항에서,상기 정공주입층은 PANI:PSS(폴리아닐린:폴리스티렌-술포네이트, polyaniline-poly(4-styrenesulfonate))를 더 포함하는 발광 소자
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제1항에서,상기 도전성 고분자 박막층의 표면 조도는 0
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기판을 제공하는 단계,상기 기판 위에 제1 전극을 증착하는 단계,상기 제1 전극 위에 PEDOT:PSS를 포함하는 제1 소재를 스핀 코팅한 후 열처리하여 정공 주입층을 제공하는 단계,상기 정공 주입층 위에 별개의 층으로 PANI:PSS(폴리아닐린:폴리스티렌-술포네이트, polyaniline)/poly(4-styrenesulfonate)을 포함하는 제2 소재를 스핀 코팅하여 도전성 고분자 박막층을 제공하고, 상기 PANI(폴리아닐린)에 대한 상기 PSS(폴리스티렌-술포네이트)의 비는 1:1 내지 1:30이고, 상기 도전성 고분자 박막층의 두께는 5nm 내지 10nm이고, 상기 도전성 고분자 박막층의 일함수는 4
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제5항에서,상기 기판을 떼어내는 단계, 및상기 제1 전극의 표면을 플라즈마 처리, 자외선 오존 처리 또는 반응성 이온 에칭(reactive ion etching, RIE) 처리하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제5항에서,상기 발광층을 제공하는 단계전에 상기 도전성 고분자 박막층 위에 상기 제2 소재를 포함하는 또다른 정공 수송층을 제공하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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