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페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022004295
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 투명 전도성 기판 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 상기 전자 수송층 상에 첨가제가 도핑된 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 및 상기 정공 수송층 상에 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법에 있어서, 상기 전자 수송층 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계는, 페로브스카이트 전구체 용액 상에 소수성을 가지는 첨가제를 첨가하는 단계; 및 상기 첨가제가 첨가된 페로브스카이트 전구체 용액을 상기 전자 수송층 상에 도포하여 상기 첨가제가 도핑된 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법에 대한 것이다.
Int. CL H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/44 (2006.01.01) C07F 7/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/422(2013.01) H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0096(2013.01) H01L 51/441(2013.01) C07F 7/00(2013.01) H01L 51/0032(2013.01)
출원번호/일자 1020200133453 (2020.10.15)
출원인 성균관대학교산학협력단, 세종대학교산학협력단, 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0049836 (2022.04.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.15)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
3 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정현석 서울특별시 송파구
2 안태규 경기도 성남시 분당구
3 주준 경기도 수원시 장안구
4 조봉현 서울특별시 마포구
5 한길상 경기도 군포시 산본천로 ***-*, 주공 **단지 아파트 **
6 김동회 서울특별시 광진구
7 김지동 경기도 안성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-1090564-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2021.02.22 수리 (Accepted) 4-1-2021-5068226-87
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2021.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2021-5068232-51
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0010951-41
6 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-0364011-57
7 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2021-5303832-37
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0107883-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2022-0317513-19
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0317519-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전도성 기판 상에 전자 수송층을 형성하는 단계;상기 전자 수송층 상에 첨가제가 도핑된 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 및상기 정공 수송층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법에 있어서, 상기 전자 수송층 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계는,페로브스카이트 전구체 용액 상에 소수성을 가지는 첨가제를 첨가하는 단계; 및상기 첨가제가 첨가된 페로브스카이트 전구체 용액을 상기 전자 수송층 상에 도포하여 상기 첨가제가 도핑된 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 첨가제는 하기 화학식 1 또는 화학식 2 로 표시되는 카르복실기 또는 디카르복실산 무수물기를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법:[화학식 1][화학식 2]
3 3
제 1 항에 있어서,상기 첨가제는 상기 페로브스카이트 전구체와 반응하여 결정 형성을 촉진하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 첨가제는 4,4'-(헥사플루오르이소프로피리덴) 다이프탈릭 안하이드라이드, 4,4'-카보닐다이프탈릭 안하이드라이드, 시트라코닉 안하이드라이드, 프탈릭 안하이드라이드, 1,2,4-벤젠트라이카복실릭 안하이드라이드, 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카복실릭 다이안하이드라이드, 4,4'-(4,4'-이소프로피리덴페녹시)비스(프탈릭 안하이드라이드), 4,4'-옥시다이프탈릭 안하이드라이드, 파이로멜리틱 다이안하이드라이드, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실릭 다이안하이드라이드, 사이클로뷰테인-1,2,3,4-테트라카복실릭 다이안하이드라이드, 다이에틸 프탈레이트, 에틸렌다이아민테트라아세틱 다이안하이드라이드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 전구체 용액을 상기 전자 수송층 상에 도포하는 단계는 스핀 코팅, 바코팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 제트 프린팅, 전기분무, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 수행되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층은 각각 독립적으로 하기 화학식 3 또는 4 로서 표시되는 페로브스카이트 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지:[화학식 3]RMX3[화학식 4]R4MX6(상기 화학식 3및 화학식 4 에서,상기 R 은 알칼리금속, C1-24 의 치환된 또는 비치환된 알킬기이고, 상기 R 이 치환된 경우, 그 치환기는 아미노기, 수산화기, 시아노기, 할로겐기, 니트로기 또는 메톡시기이고,상기 M 은 Pb, Sn, Ge, Cu, Ni, Co, Fe, Mn, Cr, Pd, Cd, Yb, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하는 것이고,상기 X 는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것임)
7 7
제 1 항에 있어서,상기 투명 전도성 기판은 FTO, ITO, IZO, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서,상기 전자 수송층은 TiO2, ZrO, Al2O3, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
9 9
제 1 항에 있어서,상기 정공 수송층은 Spiro-OMeTAD, PEDOT:PSS, G-PEDOT, PANI:PSS, PANI:CSA, PDBT, P3HT, PCPDTBT, PCDTBT, PTAA, MoO3, V2O5, NiO, WO3, CuI, CuSCN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
10 10
제 1 항에 있어서,상기 전극은 Au, Ag, Pt, Ni, Cu, In, Ru, Pd, Rh, Mo, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
11 11
투명 전도성 기판;상기 투명 전도성 기판 상에 형성된 전자 수송층;상기 전자 수송층 상에 형성된 소수성 첨가제가 도핑된 페로브스카이트 광흡수층;상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 형성된 정공 수송층; 및상기 정공 수송층 상에 형성된 전극을 포함하는,페로브스카이트 태양전지
12 12
제 11 항에 있어서,상기 첨가제는 상기 페로브스카이트 광흡수층의 결함 상에 존재하여 상기 페로브스카이트 광흡수층의 결정의 상을 안정화하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
13 13
제 11 항에 잇어서,상기 페로브스카이트 광흡수층에서 상기 첨가제에 의해 전자 및 정공의 비방사성 재결합이 방지되는 것인, 페로브스카이트 태양전지
14 14
제 11 항에 있어서,상기 페로브스카이트 광흡수층에 있어서, 상기 첨가제는 패시베이션의 역할을 수행하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한화솔루션 주식회사 신재생에너지핵심기술개발(R＆D) 발전량 증대를 위한 효율 26%급, 6인치 페로브스카이트/결정질 실리콘 탠덤 태양전지 셀 제작기술 개발
2 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 ICT첨단유망기술육성(R＆D) 스마트팜 무선 복합 IoT 센서용 자율전원 유연 광전소자 모듈개발
3 과학기술정보통신부 세종대학교 미래소재디스커버리지원(R＆D) R/G/B 대응 할라이드계 페로브스카이트 소재기반 컬러필터가 필요 없는 적층형 이미지센서 개발 연구
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