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1
상면과 하면이 관통된 수용부를 포함하는 기판;상기 기판의 수용부에 형성된 유전체층;상기 유전체층의 상면에 형성된 상부전극; 및 상기 유전체층의 하면에 형성된 하부전극을 포함하고, 상기 기판의 수용부는 상기 하부전극을 형성하기 위하여 상기 기판의 일부가 제거되어 형성되는, 고주파 캐패시터
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청구항 1에 있어서, 상기 유전체층은 상기 기판의 상면에서 하면 방향으로 형성되는 하나 이상의 트렌치 구조를 포함하는, 고주파 캐패시터
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청구항 1에 있어서, 상기 상부전극의 상면을 커버하여 보호하는 절연층;상기 하부전극에 연결되어 외부 회로와 접촉하는 제1 패드;상기 상부전극에 연결되어 외부 회로와 접촉하는 제2 패드; 및 상기 하부전극의 하면을 커버하여 보호하는 보호층을 더 포함하는, 고주파 캐패시터
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4
청구항 1에 있어서, 상기 하부전극의 두께는 상기 상부전극의 두께와 동일하거나 더 두꺼운, 고주파 캐패시터
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캐패시터를 형성하기 위한 기판을 준비하는 준비단계;상기 기판의 상면에 유전체층을 형성하는 유전체층 형성단계;상기 유전체층의 상면에 상부전극을 형성하는 상부전극 형성단계;상기 유전체층의 하면의 적어도 일부가 노출되도록 상기 기판의 적어도 일부를 제거하는 유전체층 노출단계; 및 상기 유전체층의 하면에 하부전극을 형성하는 하부전극 형성단계를 포함하는, 고주파 캐패시터의 제조 방법
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6
청구항 5에 있어서, 상기 준비 단계는 상기 기판을 준비하는 기판 준비단계; 및 상기 유전체층의 형태를 결정하기 위하여, 상기 기판의 일면에 복수의 트렌치를 형성하는 트렌치 형성단계를 포함하는, 고주파 캐패시터의 제조 방법
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7
청구항 5에 있어서, 상기 유전체층 형성단계는 상기 기판이 실리콘 재질인 경우 열산화 공정 또는 화학기상증착 공정을 이용하여 상기 유전체층을 형성하고, 상기 기판이 감광성 유리 재질인 경우 화학기상증착 공정을 이용하여 상기 유전체층을 형성하는, 고주파 캐패시터의 제조 방법
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8
청구항 5에 있어서, 상기 상부전극 형성단계 이후에, 상기 상부전극의 상면에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계;상기 절연층 형성단계 이후에, 상기 상부전극의 상면에 연결되도록 형성되는 제1 패드 및 상기 하부전극이 형성될 영역에 형성되는 제2 패드를 형성하는 상측패드 형성단계; 및 상기 하부전극 형성단계 이후에, 상기 하부전극의 하면에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계를 더 포함하는, 고주파 캐패시터의 제조 방법
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9
청구항 5에 있어서, 상기 상부전극 형성단계 이후에, 상기 상부전극의 상면에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계; 상기 하부전극 형성단계 이후에, 상기 하부전극을 커버하여 보호하는 보호층을 형성하는 보호층 형성단계; 및 상기 보호층 형성단계 이후에, 상기 상부전극의 하면과 연결되도록 형성되는 제1 패드 및 상기 하부전극의 하면과 연결되도록 형성되는 제2 패드를 형성하는 하측패드 형성단계를 더 포함하는, 고주파 캐패시터의 제조 방법
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10
청구항 6에 있어서, 상기 준비 단계는 상기 기판이 감광성 유리 재질인 경우 상기 트렌치 형성단계 이후에 수행되며, 상기 유전체층 노출단계에서 제거될 기판의 일부에 감광 및 열처리를 수행하는 제거영역 전처리단계를 더 포함하는, 고주파 캐패시터의 제조 방법
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11
청구항 5에 있어서, 상기 유전체층 노출단계는 상기 유전체층의 하면이 노출되도록 상기 기판을 전부 제거하는, 고주파 캐패시터의 제조방법
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