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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 전이금속 디칼코게나이드(TMD) 반도체 물질을 포함하는 1차 감지 입자를 제공하여 감지층을 형성하는 단계; 및상기 감지층에 레이저를 조사하여, 상기 감지층 상에 상기 1차 감지 입자가 상기 레이저에 의해 증발된 후 응집된 2차 감지 입자를 형성하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 감지층은, 상기 2차 감지 입자가 형성됨에 따라 가스 센싱을 위한 표면적이 증가되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 2차 감지 입자를 형성하는 단계에서, 상기 감지층에 조사되는 레이저의 시간을 제어함에 따라, 상기 감지층의 가스 센싱 감도가 제어되든 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 감지층에 조사되는 레이저의 시간을 3초 초과 10초 미만으로 제어함에 따라, 상기 감지층의 가스 센싱 감도가 향상되는 것을 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 감지층을 형성하는 단계는, 상기 전이금속 디칼코게나이드 반도체 물질과 바인더를 혼합하여 베이스 소스를 제조하는 단계; 상기 기판 상에 상기 베이스 소스를 코팅하는 단계; 및 상기 기판 상에 코팅된 상기 바인더를 제거하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 바인더는, a-테피놀, 또는 폴리바이닐 알코올 중 어느 하나를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 감지층을 형성하는 단계는, 상기 전이금속 디칼코게나이드 반도체 물질과 용매를 혼합하여 베이스 소스를 제조하는 단계; 상기 기판 상에 상기 베이스 소스를 코팅하는 단계; 및 상기 기판 상에 코팅된 상기 용매를 제거하는 단계를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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제7 항에 있어서, 상기 용매는, 에탄올 또는 순수(DI water)를 포함하는 가스 센서의 제조 방법
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기판; 상기 기판 상에 배치되고, 전이금속 디칼코게나이드(TMD) 반도체 물질을 포함하는 1차 감지 입자를 포함하는 감지층; 상기 감지층 상에 배치되고, 상기 전이금속 디칼코게나이드 반도체 물질을 포함하는 2차 감지 입자; 및상기 감지층 및 상기 2차 감지 입자 상에 배치되는 전극을 포함하되, 상기 감지층은, 상기 2차 감지 입자에 의해 가스 센싱을 위한 표면적이 증가되는 것을 포함하는 가스 센서
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제9 항에 있어서, 상기 전이금속 디칼코게나이드 반도체 물질은, 1
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제9 항에 있어서, 상기 전이금속 디칼코게나이드 반도체 물질은, 이황화 몰리브덴(MoS2), 몰리브덴 디셀레나이드(MoSe2), 몰리브덴 디텔루라이드(MoTe2), 이황화 텅스텐(WS2), 텅스텐 디셀레나이드(WSe2), 및 텅스텐 디텔루라이드(WTe2) 중 어느 하나를 포함하는 가스 센서
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제9 항에 있어서, 상기 감지층은, 이산화질소(NO2)를 감지하는 가스 센서
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