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기판의 상부에 고분자층을 형성하는 단계(S1);상기 고분자층의 상부에 변형 검출기 및 제1금속배선을 형성하는 단계(S2);상기 고분자층의 전면에 감광막을 형성하는 단계(S3);상기 감광막을 패터닝하여 상기 변형 검출기의 상부에 콘택홀을 형성하는 단계(S4);상기 감광막의 상부에 제2금속배선을 형성하는 단계(S5);상기 감광막 상부의 끝단에 지지블록을 형성하는 단계(S6);상기 지지블록이 형성된 영역을 제외한 상기 감광막 상부에 보호블록을 형성하는 단계(S7);상기 기판으로부터 상기 고분자층을 분리하는 단계(S8); 및상기 고분자층의 하부에 하중블록을 형성하는 단계(S9)를 포함하는 촉각센서 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 상부에 고분자층을 형성하는 단계는, 산화막이 형성된 반도체 기판 표면의 소수화 또는 친수화 처리 후 고분자층을 형성하는 촉각센서 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자층의 상부에 변형 검출기 및 제1금속배선을 형성하는 단계는,상기 고분자층의 상부에 변형 검출기 패턴 및 제1금속배선 패턴을 형성하는 단계;패턴이 형성된 상기 고분자층의 상부에 금속을 증착하는 단계; 및리프트 오프공정을 수행하여 변형 검출기 및 제1금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 촉각센서 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 지지블록이 형성된 영역을 제외한 상기 감광막 상부에 보호블록을 형성하는 단계는, 상기 지지블록이 형성된 영역을 제외한 상기 감광막 상부에 액상의 실리콘 탄성체를 채우는 단계; 및 상기 액상의 실리콘 탄성체를 열처리하여 경화시키는 단계를 포함하는 촉각센서 어레이 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 액상의 실리콘 탄성체를 채우는 단계는 닥터 브레이드 공정을 이용하는 촉각센서 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판으로부터 상기 고분자층을 분리하는 단계는, 75℃ 내지 95℃의 온도범위로 가열된 초순수 및 희석된 불산 용액을 이용하는 촉각센서 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자층의 하부에 하중블록을 형성하는 단계는,상기 고분자층의 상부를 유리 기판에 부착하는 단계;상기 고분자층의 하부에 감광층을 형성하는 단계;상기 감광층을 패터닝한 후, 열처리하여 하중블록을 형성하는 단계; 및상기 하중블록이 형성된 상기 고분자층과 상기 유리 기판을 분리하는 단계를 포함하는 촉각센서 어레이 제조방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 촉각센서 어레이
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제 8 항에 있어서,상기 고분자층은 폴리이미드인 촉각센서 어레이
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