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관성력을 검지하는 ＭＥＭＳ 소자의 민감도 및 오프셋을조정하는 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015160229
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 관성력 발생시 내부의 질량체와 검지전극 사이의 커패시턴스 변화를 검지하여 관성력을 검지하는 MEMS 소자의 민감도 및 오프셋을 조정하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 장치 및 방법에 의하여 민감도 및 오프셋을 측정하고 조정할 수 있도록 고안된 관성력 검지용 MEMS 소자에 관한 것이다.본 발명에 따른 장치 및 방법을 사용함으로써, 기존의 회전운동판 또는 진동판을 이용한 기계적 검사 절차를 생략하고, 전기적 신호만으로 상기 MEMS 소자의 관성력 검지 능력을 테스트하고, 출력치를 보정할 수 있다. 또한, 일반 반도체 칩의 시험 검사 장치를 그대로 이용할 수 있으며, 출력 오프셋 및 민감도의 조정에 소요되는 비용 및 시간을 크게 줄일 수 있다.
Int. CL B81B 7/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050042884 (2005.05.23)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0712665-0000 (2007.04.23)
공개번호/일자 10-2006-0120750 (2006.11.28) 문서열기
공고번호/일자 (20070502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조동일 대한민국 서울 강남구
2 고형호 대한민국 충남 태안군
3 박상준 대한민국 서울 은평구
4 박용화 대한민국 충북 영동군
5 임재상 대한민국 서울 관악구
6 유광호 대한민국 경기 군포시
7 이상민 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)마이크로메카 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0268011-85
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0525050-43
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0809522-28
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0903130-17
5 의견서
Written Opinion		 2007.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0015872-71
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0015871-25
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0033702-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
관성력 발생시 내부의 질량체와 검지전극 사이의 커패시턴스 변화를 검지하여 관성력을 검지하는 MEMS 소자의 민감도 및 오프셋을 조정하는 장치로서,상기 소자의 관성력 입력부에 관성력 입력 신호를 인가하는 관성력 입력 신호 발생부,상기 소자에서 상기 인가된 관성력 입력 신호에 의하여 발생되는 커패시턴스 변화 신호를 상기 소자의 검지전극으로부터 수신하여 커패시턴스 변화를 검지하는 용량 검지부,상기 용량 검지부의 출력 신호로부터 상기 소자의 민감도 및 오프셋을 조정하기 위한 조정치를 계산하는 조정치 계산부,상기 조정치를 저장하는 저장부, 및상기 저장부에 저장된 조정치를 사용하여 상기 용량 검지부의 출력 신호의 민감도 및 오프셋을 보정하는 조정부를 포함하되,상기 관성력 입력 신호 발생부는 제1스위치를 통하여 상기 소자의 관성력 입력부에 연결되고,상기 용량 검지부 및 상기 조정치 계산부 사이에는 제2스위치가 개재되며,상기 용량 검지부 및 상기 조정부 사이에는 제3스위치가 개재되고,상기 저장부와 상기 조정부 사이에는 제4스위치가 개재되며,상기 제1스위치 및 상기 제2스위치는 검출모드를 나타내는 제1스위칭 신호에 의하여 온되고, 상기 제3스위치 및 상기 제4스위치는 조정모드를 나타내는 제2스위칭 신호에 의하여 온되는 것을 특징으로 하는 MEMS 소자의 민감도 및 오프셋 조정 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 조정치 계산부에서 계산하는 민감도는 상기 관성력 입력 신호 발생부에서 발생된 관성력 입력 신호의 첨두치와 상기 용량 검지부에서 검지된 전압의 첨두치의 비율로 정의되고,상기 오프셋은 상기 관성력 입력 신호 발생부에서 발생된 관성력 입력 신호의 평균치와 상기 용량 검지부에서 검지된 전압의 평균치의 비율로 정의되는 것을 특징으로 하는 MEMS 소자의 민감도 및 오프셋 조정 장치
4 4
삭제
5 5
관성력 발생시 내부의 질량체와 검지전극 사이의 커패시턴스 변화를 검지하여 관성력을 검지하는 MEMS 소자의 민감도 및 오프셋을 조정하는 방법으로서,상기 소자의 관성력 입력부에 관성력 입력 신호를 인가하는 단계,상기 소자에서 상기 인가된 관성력 입력 신호에 의하여 발생되는 커패시턴스 변화 신호를 용량 검지부가 상기 소자의 검지전극으로부터 수신하여 커패시턴스 변화를 검지하는 단계,상기 용량 검지부의 출력 신호로부터 상기 소자의 민감도 및 오프셋을 조정하기 위한 조정치를 계산하는 단계,상기 조정치를 저장하는 단계, 및상기 저장부에 저장된 조정치를 사용하여 상기 용량 검지부의 출력 신호의 민감도 및 오프셋을 보정하는 단계를 포함하되,상기 민감도는 상기 관성력 입력 신호의 첨두치와 상기 용량 검지부에서 검지된 전압의 첨두치의 비율로 정의되고,상기 오프셋은 상기 관성력 입력 신호의 평균치와 상기 용량 검지부에서 검지된 전압의 평균치의 비율로 정의되는 것을 특징으로 하는 MEMS 소자의 민감도 및 오프셋 조정 방법
6 6
관성력 발생시 내부의 질량체와 검지전극 사이의 커패시턴스 변화를 검지하여 관성력을 검지하는 MEMS 소자로서,상기 MEMS 소자가 운동시 관성력에 의하여 위치가 변동되는 내부 질량체(110);기준 전압으로서 접지되는 접지전극(120);상기 내부질량체(110)에 반송파를 인가하는 전극(130, 131);상기 MEMS 소자가 운동시 상기 내부 질량체의 변위에 의하여 발생되는 상기 내부 질량체와의 커패시턴스 변화를 검지하여 외부로 출력하는 검지 전극(140, 141); 및상기 MEMS 소자의 민감도 및 오프셋을 조정하기 위하여 상기 내부의 질량체가 실제 관성력으로 운동할 때와 동일한 변위를 나타내게 할 수 있는 전기신호인 관성력 입력 신호를 인가할 수 있는 전극인 관성력 입력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 MEMS 소자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 관성력 입력부는 양의 등가 관성력 입력 신호를 인가하기 위한 양의 방향 관성력 입력부 및 음의 등가 관성력 입력 신호를 인가하기 위한 음의 방향 관성력 입력부로 구성되는 것을 특징으로 하는 MEMS 소자
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 MEMS 소자가 검지하는 관성력은 가속도 또는 각속도인 것을 특징으로 하는 MEMS 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.