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CMOS 회로가 형성된 단결정 실리콘 기판 상에 미세 구조물을 형성하는 방법으로서,CMOS 회로가 집적된 단결정 실리콘 기판에서 상기 CMOS 회로 부분을 제1보호막으로 적층하는 단계(a);상기 기판 상에서 미세 구조물이 형성될 부분에 마스크층을 형성한 후 패터닝하는 단계(b);상기 마스크층을 사용하여 상기 기판을 식각하여, 트렌치를 형성하는 단계(c);상기 형성된 트렌치의 측벽에 제2보호막을 형성하는 단계(d);상기 트렌치의 바닥면에 형성된 상기 제2보호막을 제거하는 단계(e);상기 제2보호막을 식각 마스크로 사용하여 상기 기판을 소정 깊이로 추가로 식각하는 단계(f);상기 기판을 습식식각하여 상기 추가로 식각된 트렌치의 바닥면에 캐비티(cavity)를 형성시킴으로써, 미세구조물을 상기 바닥면으로부터 부유시키는 단계(g); 및상기 제2보호막을 제거하는 단계(h)를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단결정 실리콘 기판은 <111> 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 미세 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)에서 상기 제1보호막은 알칼리 수용액에 내성이 있는 물질인 것을 특징으로 하는 미세 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)에서 상기 제1보호막은 3㎛ 이상으로 증착되는 것을 특징으로 하는 미세 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)에서 상기 제1보호막은 실리콘산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘산화막의 삼중막 구조인 것을 특징으로 하는 미세 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(d)에서 상기 제2보호막은 알칼리 수용액에 내성이 있는 물질인 것을 특징으로 하는 미세 구조물 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계(d)에서 상기 제2보호막은 실리콘산화막 및 실리콘 질화막의 이중막 구조인 것을 특징으로 하는 미세 구조물 형성 방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 미세 구조물 형성 방법에 의하여 형성된 미세구조물 및 CMOS 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 MEMS 소자
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