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실리콘 단량체를 유기 용매에 혼합하여 분산계를 형성하는 단계와,
상기 분산계에 금속 촉매를 분산시켜 중합하여 폴리실란 중합체를 형성하는 단계와,
상기 폴리실란 중합체를 필터링하여 실리콘 고분자를 분리하는 단계와,
상기 실리콘 고분자를 유기 용매에 용해시켜 폴리실란 액상을 형성하는 단계와,
상기 폴리실란 액상을 기판 상부에 증착하는 단계와,
상기 기판 상부에 증착된 폴리실란 액상을 열처리 및 자외선 조사하여 비정질 실리콘박막을 형성하는 단계를 포함하는 비정질 실리콘박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 실리콘 단량체는 할로겐족 원소를 포함하는 디클로로메틸페닐실란(dichloromethylphenylsilane), 디클로로디메틸실란(dichlorodimethylsilane), 디클로로디페닐실란(dichlorodiphenyllsilane), 디클로로헥실메틸실란(dichlorohexylmethylsilane), 디클로로비닐메틸실란(dichlorovinylmethylsilane) 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘박막 제조방법
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제 2 항에 있어서,
상기 실리콘 단량체와 상기 금속 촉매의 몰 비는 실질적으로 1:2인 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 유기 용매는 톨루엔, 크실렌, 에탄올, 메탄올 및 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran) 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 금속 촉매는 알칼리 금속, 은, 아연, 세슘 및 상기 금속 촉매의 합금 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘박막 제조방법
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제 2 항에 있어서,
상기 폴리실란 중합체로부터 제거된 할로겐족 원소의 침전 화합물을 메탄올 또는 증류수를 이용하여 용해시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 폴리실란 액상을 스핀 코팅, 잉크 분사법 또는 롤 코팅을 이용하여 상기 기판 상부에 증착하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘박막 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 폴리실란 액상에 수소 가스를 주입하여 열처리를 실시하여 상기 폴리실란 액상으로부터 메틸기 또는 페닐기의 결합을 해리하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘박막 제조방법
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