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기판의 고속 박층화 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2014010230
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판의 박층화를 보다 신속하게 진행할 수 있는 고속 박층화장치 및 그 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 기판 고속 박층화장치는, 내부 공간에 기판이 구비된 챔버; 상기 챔버 내에 제1, 제2 및 제3 공정가스를 선택적으로 공급하는 제1, 제2 및 제3 가스공급통로; 상기 제1가스공급통로 상에 설치되고, 상기 제1공정가스를 플라즈마화시켜 제1라디칼을 발생시키며, 상기 제1라디칼을 상기 챔버 내로 주입하는 제1원격플라즈마 발생기; 및 상기 제2가스공급통로 상에 설치되고, 상기 제2공정가스를 플라즈마화시켜 제2라디칼을 발생시키며, 상기 제2라디칼을 상기 챔버 내로 주입하는 제2원격플라즈마 발생기를 포함한다. 기판, 실리콘, 박층화, 라디칼, 가스, 원격플라즈마
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32357(2013.01) H01J 37/32357(2013.01)
출원번호/일자 1020070089592 (2007.09.04)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0906377-0000 (2009.06.30)
공개번호/일자 10-2009-0024529 (2009.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20090707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내응 대한민국 경기 과천시
2 윤영배 대한민국 울산 남구
3 박성민 대한민국 경북 포항시 북구
4 김덕진 대한민국 부산 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0643631-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0050881-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0634358-03
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0100862-66
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0100847-81
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0268014-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버 내에 구비된 기판에 대해 F 라디칼과 함께, NO 라디칼 및 NO 가스중 어느 하나 또는 둘 모두를 주입하여 기판을 박층화시키는 장치로서, 내부 공간에 기판이 구비된 챔버; 상기 챔버 내에 제1, 제2 및 제3 공정가스를 선택적으로 공급하는 제1, 제2 및 제3 가스공급통로; 상기 제1가스공급통로 상에 설치되고, 상기 제1공정가스를 플라즈마화시켜 제1라디칼을 발생시키며, 상기 제1라디칼을 상기 챔버 내로 주입하는 제1원격플라즈마 발생기; 및 상기 제2가스공급통로 상에 설치되고, 상기 제2공정가스를 플라즈마화시켜 제2라디칼을 발생시키며, 상기 제2라디칼을 상기 챔버 내로 주입하는 제2원격플라즈마 발생기를 포함하고, 상기 제1공정가스는 불소를 함유한 불소계열 가스이고, 상기 제1라디칼은 F 라디칼이고, 상기 제2공정가스는 산소 및 질소를 함께 함유한 산화질소계열의 가스이고, 상기 제2라디칼이 NO 라디칼이며, 상기 제3공정가스는 NO 가스 또는 아르곤 가스에 의해 희석된 NO 가스인 것을 특징으로 하는 기판의 고속 박층화 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 챔버 내에 하나 이상의 고주파 전극이 설치되고, 상기 고주파 전극으로 고주파 전원을 선택적으로 인가하는 하나 이상의 고주파 전원이 접속된 것을 특징으로 하는 기판의 고속 박층화장치
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1공정가스는 질소, 산소, 아르곤 등이 조합된 가스가 혼합된 불소계열 가스이고, 상기 제1라디칼은 F 라디칼 및 NO 라디칼이 혼합된 형태인 것을 특징으로 하는 기판의 고속 박층화장치
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
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8 8
챔버 내에 구비된 기판을 박층화시키는 방법에 있어서, 질소, 산소, 아르곤이 조합된 가스가 혼합된 불소계열 가스를 원격플라즈마발생기에 의해 플라즈마화시켜 F 라디칼 및 NO 라디칼을 발생시키는 단계; 및 상기 F 라디칼 및 NO 라디칼을 상기 챔버 내에 주입시켜 플라즈마 식각공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 고속 박층화방법
9 9
챔버 내에 구비된 기판을 박층화시키는 방법으로서, 불소를 함유한 불소계열 가스를 원격플라즈마발생기에 의해 플라즈마화시켜 F 라디칼을 발생시킨 후, 발생된 F 라디칼을 챔버 내로 주입시키는 단계; 및 상기 챔버 내에 NO 가스 또는 아르곤 가스에 의해 희석된 NO 가스를 주입시키는 단계를 포함하는, F 라디칼과 NO 가스가 함께 공급되어 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판의 고속 박층화방법
10 10
챔버 내에 구비된 기판을 박층화시키는 방법으로서, 불소를 함유한 불소계열 가스를 원격플라즈마발생기에 의해 플라즈마화시켜 F 라디칼을 발생시킨 후, 발생된 F 라디칼을 챔버 내로 주입시키는 단계; 및 산소 및 질소를 함께 함유한 산화질소계열의 가스를 원격플라즈마발생기에 의해 플라즈마화시켜 NO 라디칼을 발생시킨 후, 발생된 NO 라디칼을 챔버 내로 주입시키는 단계를 포함하는, F 라디칼과 NO 라디칼이 함께 공급되어 식각공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판의 고속 박층화방법
11 11
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 챔버 내에 구비된 하나 이상의 고주파 전극 측에 고주파 전원을 선택적으로 인가함으로써 상기 챔버 내에 원격플라즈마 및 다이렉트플라즈마를 동시에 발생시키는 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 기판의 고속 박층화방법
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13 13
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17 17
제8항 또는 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 식각 공정 수행 후 플라즈마 발생을 소정 시간 동안 멈추고, 기판 표면에 잔류하는 반응 결과물 및 NO 가스를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 고속 박층화방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.