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유전율 - 변화 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014011578
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계효과 트랜지스터에 관련된 것으로서, 보다 구체적으로는 유전율-변화 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관련된 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유전율-변화 전계효과 트랜지스터는 소스와 드레인이 이격되어 형성된 기판, 기판중에서 상기 소스와 드레인 사이의 영역의 상부에 상기 기판과 적어도 일부가 이격되어 형성된 게이트, 상기 게이트중에서 상기 기판과 이격된 영역의 하부에 형성된 바이오 분자, 및 상기 바이오 분자를 상기 게이트에 결합시키는 링커를 포함한다. 나노갭, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터, 바이오 분자, 바이오 센서
Int. CL H01L 29/772 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070096674 (2007.09.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0902517-0000 (2009.06.05)
공개번호/일자 10-2008-0067276 (2008.07.18) 문서열기
공고번호/일자 (20090615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070004292   |   2007.01.15
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.21)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전시 유성구
2 임형순 대한민국 대전 유성구
3 구본상 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0688870-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0034490-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0395072-55
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0650994-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0650989-10
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0022540-19
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.02.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0006220-87
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0116101-16
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0162238-27
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0229311-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스와 드레인이 이격되어 형성된 기판; 상기 기판의 상기 소스와 드레인 사이의 영역 상에 형성된 바이오 분자를 포함하는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성되고, 금속 또는 폴리실리콘으로 이루어진 게이트를 포함하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
(a) 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; (b) 상기 기판과 희생층 상에 게이트층을 형성하는 단계; (c) 상기 희생층을 제거하는 단계; 및 (d) 상기 희생층이 제거된 부분에 바이오 분자를 포함하는 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 유전율-변화 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 (b) 단계와 (c) 단계 사이에, 상기 게이트층을 패터닝하는 단계를 더 포함하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 희생층은 실리콘 옥사이드, 메탈 옥사이드, 금속층, 유기층, 및 포토레지스트 중 하나 이상의 물질을 포함하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 (d)단계에서, 상기 유전체층을 SAM 또는 탈수축합 반응에 의해 형성하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
7 7
웨이퍼; 상기 웨이퍼 상에 이격되어 형성된 소스와 드레인; 상기 소스와 상기 드레인을 연결하도록 형성된 채널부; 상기 웨이퍼 상에 상기 채널부와 이격되도록 형성되고 상기 채널부를 기준으로 서로 대향되는 2개의 게이트; 및 상기 채널부와 상기 게이트 사이에 형성된 바이오 분자를 포함하는 유전체를 포함하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터
8 8
제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 바이오 분자는 DNA, RNA, 단백질, 리간드, 항체-항원물질, 및 효소 중 하나인, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터
9 9
(a) 웨이퍼 상에 기판과 제1 절연층을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 형성하고, 상기 제1 절연층 중에서 게이트와 채널부가 형성될 영역 상에만 상기 제2 절연층이 남도록 상기 제2 절연층을 패터닝하는 단계; (c) 상기 제1 절연층 상에 상기 제1 절연층의 구성물질을 열 산화(thermal oxidation) 방식으로 형성하여 상기 제 1 절연층을 성장시키는 단계; (d) 상기 기판이 노출될 때까지 상기 제1 및 제2 절연층을 식각하는 단계; (e) 상기 기판의 노출된 영역에 불순물을 주입하여 상기 게이트와 상기 채널부를 형성하는 단계; (f) 상기 제1 절연층을 식각하는 단계; 및 (g) 상기 형성된 상기 게이트와 채널부 사이에 바이오 분자를 포함하는 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 제1 절연층은 실리콘-옥사이드이고, 상기 제2 절연층은 실리콘-나이트라이드인, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 (g)단계에서, 상기 유전체층을 SAM 또는 탈수축합 반응에 의해 형성하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제3항 내지 제6항, 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 바이오 분자는 DNA, RNA, 단백질, 리간드, 항체-항원물질, 및 효소 중 하나인, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
13 13
소스와 드레인이 이격되어 형성된 기판; 상기 기판중에서 상기 소스와 상기 드레인 사이의 영역의 상부에 상기 기판과 적어도 일부가 이격되어 형성된 게이트; 상기 게이트중에서 상기 기판과 이격된 영역의 하부에 형성된 바이오 분자; 및 상기 게이트와 상기 바이오 분자 사이에 형성된 링커를 포함하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터
14 14
웨이퍼; 상기 웨이퍼 상에 일렬로 형성된 소스, 채널부 및 드레인; 상기 웨이퍼 상에 상기 채널부의 소스측 및 드레인측을 제외한 타측에 상기 채널부와 이격되어 형성된 게이트; 상기 채널부와 상기 게이트 사이에 형성된 바이오 분자; 및 상기 게이트와 상기 바이오 분자 사이에 형성된 링커를 포함하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터
15 15
웨이퍼 상에 일렬로 형성된 소스, 채널부 및 드레인; 상기 채널부의 상부에 상기 채널부와 적어도 일부가 이격되어 형성된 게이트; 상기 게이트중에서 상기 채널부와 이격된 영역의 하부에 형성된 바이오 분자; 및 상기 게이트와 상기 바이오 분자 사이에 형성된 링커를 포함하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터
16 16
제15항에 있어서, 상기 채널부 상에 형성된 절연층; 및 상기 절연층과 상기 게이트 사이에 형성된 희생층을 더 포함하고, 상기 희생층의 양 말단이 식각되어 노출된 상기 게이트 하부에 상기 바이오 분자가 형성되는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터
17 17
제16항에 있어서, 상기 게이트와 상기 바이오 분자 사이에 링커를 더 포함하는, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터
18 18
제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 바이오 분자는 DNA, RNA, 핵산 유사체, 단백질, 펩티드, 아미노산, 리간드, 항체-항원물질, 당구조물, 유/무기화합물, 비타민, 드러그(drug) 및 효소 중 하나인, 유전율-변화 전계효과 트랜지스터
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07927887 US 미국 FAMILY
2 US20080283939 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008283939 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7927887 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.