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전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015114388
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 게이트의 전계 효과 특징을 지니고 있는 전계효과 트랜지스터의 작동원리를 이용한 바이오 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계효과 트랜지스터의 기생(fringing) 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서는 기판; 상기 기판에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 채널 영역 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층상에 형성되고, 상기 절연층의 일부를 덮는 게이트; 상기 절연층 상부 표면 중 상기 게이트에 의해 덮이지 않은 부분에 링커에 의하여 결합된 바이오 분자를 포함한다. 전계효과 트랜지스터, 바이오 센서, 바이오 분자
Int. CL G01N 27/26 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01) G01N 33/48 (2006.01) G01N 33/53 (2006.01)
CPC G01N 27/26(2013.01) G01N 27/26(2013.01) G01N 27/26(2013.01)
출원번호/일자 1020080103983 (2008.10.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0997210-0000 (2010.11.23)
공개번호/일자 10-2010-0044975 (2010.05.03) 문서열기
공고번호/일자 (20101129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.23)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전 유성구
2 김동현 대한민국 대전광역시 유성구
3 이광원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0735182-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0023034-16
4 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0514238-00
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판에 채널 영역을 사이에 두고 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 채널 영역 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층상에 형성되고, 상기 절연층의 일부를 덮는 게이트; 및 상기 절연층 상부 표면 중 상기 게이트에 의해 덮이지 않은 부분에 링커에 의하여 결합된 바이오 분자를 포함하는, 전계효과 트랜지스터의 기생(fringing) 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판(bulk) 또는 절연층 매몰 실리콘(SOI)기판인, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 게이트는 금속 또는 폴리실리콘인, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
4 4
제1항에 있어서, 상기 바이오 분자는 DNA, RNA, 핵산 유사체, 단백질, 펩티드, 아미노산, 리간드, 항체-항원물질, 당구조물, 유/무기화합물, 비타민, 드러그(drug) 및 효소 중 하나 이상의 물질을 포함하는, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
5 5
제1항에 있어서, 상기 링커는 자기정렬 단일층(Self-Aligned Monolayer; SAM)인, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
6 6
제1항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 옥사이드(silicon oxide), 메탈 옥사이드(metal oxide), 고절연(High-K) 물질 중 하나 이상을 포함하는, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
7 7
제1항에 있어서, 상기 게이트는 상기 절연층의 소스-드레인 방향의 중앙부에 위치하고, 상기 절연층의 소스-드레인 방향의 양 단부 상부표면(upper surface)에 상기 바이오 분자가 형성된, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
8 8
제1항에 있어서, 상기 게이트는 상기 절연층의 소스-드레인 방향에서 상기 드레인 측으로 치우쳐 위치하고, 상기 절연층의 소스 측 상부표면에 상기 바이오 분자가 형성된, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
9 9
제1항에 있어서, 상기 게이트는 상기 절연층의 소스-드레인 방향에서 상기 소스 측으로 치우쳐 위치하고, 상기 절연층의 드레인 측 상부표면에 상기 바이오 분자가 형성된, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
10 10
제1항에 있어서, 상기 게이트는 상기 절연층의 중앙부가 노출되도록 중앙부가 뚫려있고, 상기 절연층의 노출된 중앙부에 상기 바이오 분자가 형성된, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
11 11
제1항에 있어서, 상기 게이트는 상기 절연층의 중앙부가 노출되도록 중앙부에 복수개의 구멍이 뚫려있고, 상기 절연층의 노출된 중앙부에 상기 바이오 분자가 형성된, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서
12 12
(a) 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 절연층상에 게이트층을 형성하는 단계; (c) 상기 절연층의 상부표면의 일부가 노출되도록 상기 게이트층의 일부를 식각하는 단계; 및 (d) 상기 절연층의 노출된 상부표면에 바이오 분자를 결합시키는 단계;를 포함하는, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 (d)단계에서, 상기 절연층의 노출된 상부표면에 Self-Aligned Monolayer(SAM) 또는 탈수축합 반응에 의해 상기 바이오 분자가 결합되는, 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서의 제조 방법
14 14
(a) 웨이퍼 상에 기판과 제1 절연층을 순차적으로 형성하고, 상기 제1 절연층 상에 제2 절연층을 패터닝하는 단계; (b) 상기 제2 절연층을 마스크로, 상기 제1 절연층 상에 상기 제1 절연층의 구성물질을 열 산화 방식을 이용하여 더욱 형성하여 상기 제 1 절연층을 성장시키는 단계; (c) 상기 기판이 노출될 때까지 상기 제1 및 제2 절연층을 식각하는 단계; (d) 상기 기판의 노출된 영역에 절연층 및 게이트층을 순차적으로 형성하는 단계; (e) 상기 기판의 노출된 영역에 불순물을 주입하고 활성화시켜 소스 및 드레인을 형성하는 단계; (e) 상기 게이트를 부분적으로 식각하여 상기 게이트 하부의 상기 절연층의 상부표면을 노출시키는 단계; 및 (f) 상기 절연층의 노출된 상부표면에 바이오 분자를 결합시키는 단계를 포함하는 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.