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질화인듐갈륨 상분리를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013914
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 삼원계 화합물 반도체인 질화인듐갈륨(InGaN)의 물질고유의 특성인 스피노달 분해 특성과 고온급속열처리 과정을 이용하여 백색 발광을 하는 질화인듐갈륨 박막을 단일 활성층으로 갖는 백색 발광 다이오드(White Light Emitting Diode: White LED)의 제조방법에 관한 것이다.사파이어 기판 위에 성장된 n-형 질화갈륨(GaN) 위에 질화인듐갈륨 박막 성장시 성장 조건을 조절하여 자주색에서 파란색 영역에 이르는 발광 특성을 내는 상과 녹색에서 적색영역에 이르는 발광 특성을 내는 상을 형성시킨 후 고온 급속 열처리를 통하여 박막 표면을 열적으로 평탄하게 하고 인듐(In) 함량이 적은 상의 발광 특성을 향상시켜 전체적으로 밝은 백색 발광 특성을 갖는 질화인듐갈륨 단일 활성층을 제조하였다.본 발명의 발광 다이오드는 백색으로 발광하는 질화인듐갈륨 박막을 단일 활성층으로 하는 단일 칩 상태의 질화물 반도체 백색 발광 다이오드로서 발광이 효율적이고 소자 제조공정이 획기적으로 단축되는 장점이 있다.
Int. CL H01L 33/06 (2014.01) H01L 33/30 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1019990011032 (1999.03.30)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0312019-0000 (2001.10.04)
공개번호/일자 10-2000-0061747 (2000.10.25) 문서열기
공고번호/일자 (20011103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.03.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문용태 대한민국 광주광역시북구
2 김동준 대한민국 광주광역시북구
3 송근만 대한민국 광주광역시북구
4 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 일진엘이디(주) 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.03.30 수리 (Accepted) 1-1-1999-0028179-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0001373-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2000.11.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2000-0006867-32
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0329394-73
6 의견서
Written Opinion		 2001.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2001-0035363-94
7 등록결정서
Decision to grant		 2001.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0217590-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

질화물 반도체를 이용한 백색 발광 다이오드에 있어서, 성장 조건의 조절을 통하여 질화인듐갈륨(InGaN) 박막을 상분리시킨 후 고온 급속 열처리시켜 백색발광을 하는 질화인듐갈륨 계통의 박막을 단일 활성층으로 갖는 것을 특징으로 하는 질화인듐갈륨 상분리를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 성장조건은 질화인듐갈륨 박막을 화학증착(CVD)법 또는 분자선에피택시(MBE)법에 의하여 성장온도 450℃∼850℃에서 박막두께 2 nm∼300 nm로 하고 n-형 도핑소스로는 사수소화실리콘(SiH4)을 도핑농도 3sccm ∼ 100sccm 으로 사용함을 특징으로 하는 질화인듐갈륨 상분리를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 질화인듐갈륨 박막을 700℃∼1,050℃에서 0

4 4

제 1 항에 있어서, 백색 발광을 하는 InGaN 계통의 박막은 InGaN/InxAlyGa1-x-yN (0≤x,y≤1) 다중양자우물구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.