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기판에 건식식각을 수행하여 개선된 광추출 효율을 가지는 고효율 Ⅲ - Ⅴ 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013712
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명기판 상에, n-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 하부접촉층과 p-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 상부접촉층이 형성되고, 상기 하부접촉층과 상부접촉층 사이에 AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 발광 활성층이 개재되어 이루어지는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것으로서, 공기와 접하는 상기 투명기판의 아랫면에 건식식각을 통하여 굴곡을 부여하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 공기와 접하는 기판표면의 굴곡에 의하여 광자가 특정 임계각의 조건에 만족할 수 있는 확률, 즉 광자가 외부로 빠져나갈 수 있는 확률이 증가하므로 외부 광자효율이 증가하게 된다. 발광효율, 건식식각, 사파이어, 굴곡, 플립구조, 질화물반도체
Int. CL H01L 33/30 (2014.01)
CPC H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01)
출원번호/일자 1020040094876 (2004.11.19)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0608933-0000 (2006.07.27)
공개번호/일자 10-2006-0055739 (2006.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20060808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한대섭 대한민국 광주광역시 북구
2 박성주 대한민국 광주광역시 북구
3 나석인 대한민국 광주광역시 북구
4 김자연 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0538119-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0024369-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0224720-09
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0432054-20
6 의견서
Written Opinion		 2006.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0432040-92
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0427193-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판 상에, n-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 하부접촉층과 p-AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 상부접촉층이 형성되고, 상기 하부접촉층과 상부접촉층 사이에 AlxGayInzN (0≤x, y, z≤1, x+y+z=1)으로 이루어지는 발광 활성층이 개재되어 이루어지는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법에 있어서, 공기와 접하는 상기 투명기판의 아랫면에 건식식각을 통하여 주기성을 가지는 굴곡을 부여하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 투명기판이 사파이어 기판이고, 상기 건식식각은 메탄(CH4), 염소(Cl2), 수소(H2), 및 아르곤(Ar)을 포함하는 혼합가스를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 건식식각은 유도결합형 플라즈마 반응기에서 이루어지는데, 이 때의 ICP 출력은 200~2000W이고, RF 플라즈마 출력은 10~1000W이고, 상기 반응기의 압력은 5~50mbar 인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 메탄(CH4), 염소(Cl2), 수소(H2), 및 아르곤(Ar)의 공급유량이 각각 1~50sccm, 10~100sccm, 1~50sccm, 1~100sccm 인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 굴곡의 모양이 위에서 내려다 봤을 때 각형, 원형 및 라인형 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 굴곡의 측단면이 긴 사다리꼴 또는 삼각형인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 건식식각에 의한 투명기판의 표면적 증가가 10~70% 가 되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 굴곡의 깊이는 100Å ~ 100㎛ 인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법
10 9
제1항에 있어서, 상기 굴곡의 깊이는 100Å ~ 100㎛ 인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-V 질화물계 플립칩 구조의 반도체 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.