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알루미늄 호일을 이용한 관통형 전극 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014021954
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄 호일을 이용한 관통형 전극 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 관통형 전극 형성방법은, 기판에 일정패턴을 가지는 적어도 하나의 관통홀(through-hole)을 형성하는 단계와; 상기 기판의 일측 표면에 징케이트(zincate) 처리된 알루미늄 호일(foil)을 부착하여 시드(seed)층을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 이용하여 상기 적어도 하나의 관통홀을 도전물질로 충진하여 관통형 전극을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 제거하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 진공증착공정을 없애고 에칭공정만으로 공정을 수행할 수 있으며, 이를 통해 공정의 단순화 및 제조공정의 시간을 줄일 수 있어 전체 공정비용(제조비용)을 절감할 수 있다. 또한, 기존 스퍼터 방식의 시드를 사용할 경우 문제가 되었던 도금공정 초기에서의 기공(void) 생성을 억제하여 관통홀 전극의 충진율을 높혀 전기적 특성을 향상시키는 효과를 부수적으로 얻을 수 있다. 알루미늄, 징케이트, 관통형 전극, 에칭, 인터포저
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01)
출원번호/일자 1020080036345 (2008.04.18)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0964030-0000 (2010.06.08)
공개번호/일자 10-2009-0110712 (2009.10.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호영 대한민국 경기 수원시 장안구
2 서수정 대한민국 경기 수원시 권선구
3 염광섭 대한민국 충북 청주시 흥덕구
4 강치구 대한민국 경기 용인시 수지구
5 정근희 대한민국 경기 수원시 장안구
6 이용호 대한민국 대구 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0279071-75
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0042727-21
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0200553-00
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0200544-99
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0233969-98
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
관통형 전극 형성방법에 있어서: 기판에 일정패턴을 가지는 적어도 하나의 관통홀을 형성하는 단계와; 상기 기판의 일측 표면에 징케이트(zincate) 처리된 알루미늄 호일을 부착하여 시드(seed)층을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 이용하여 상기 적어도 하나의 관통홀을 도전물질로 충진하여 관통형 전극을 형성하는 단계와; 상기 시드층을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 징케이트 처리된 알루미늄 호일은 알루미늄 호일을 준비하는 단계와; 알루미늄 호일 표면의 자연산화막을 제거하는 단계와; 상기 자연산화막이 제거된 알루미늄 호일을 징케이트 용액에 침지하여, 아연이 상기 알루미늄 호일 표면에 석출되도록하는 제1 징케이트 처리단계를 수행한 후, 상기 제1징케이트 처리된 알루미늄 호일을 산세처리하는 단계와; 상기 알루미늄 호일 표면에 석출된 아연을 산화용해시키는 단계와; 상기 제1징케이트 처리단계와 동일한 조건에서 제2징케이트 처리하는 단계를 수행하여 제조되는 것을 특징으로 하는 관통형 전극 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 시드층의 제거는 선택적 습식에칭공정을 통해 수행됨을 특징으로 하는 관통형 전극 형성방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 적어도 하나의 관통홀을 도전물질로 충진하여 관통형 전극을 형성하는 단계는, 상기 시드층이 형성된 기판을 상기 시드층이 접촉하도록 하여 SUS(Steel Use Stainless) 플레이트 상에 위치시키는 단계와; 상기 시드층 및 상기 SUS 플레이트를 도금용 전극으로 하는 전기도금 공정을 통해 상기 적어도 하나의 관통홀을 도전물질로 충진하여 관통형 전극을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 관통형 전극 형성방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 전기도금공정은 펄스(pulse) 도금 공정임을 특징으로 하는 관통형 전극 형성방법
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삭제
6 6
삭제
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 징케이트 용액은 산화아연(ZnO)을 수산화나트륨(NaOH)용액에 용해한 물질임을 특징으로 하는 관통형 전극 형성방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼, 고저항 실리콘 웨이퍼, 다결정 실리콘, 유리, 및 세라믹 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 관통형 전극 형성방법
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 시드층을 제거하는 단계 이후에, 상기 시드층이 제거된 면이 아닌 상기 기판의 타측 표면에 위치하는 상기 관통형 전극의 돌출부분을 평탄화하기 위한 CMP 공정이 수행되는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 관통형 전극 형성방법
10 10
삭제
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