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폴리이미드로 이루어진 플렉시블 유기물 기판 상에 전기도금 또는 무전해도금 공정을 이용하여 니켈(Ni), 구리(Cu), 또는 금(Au)으로 이루어진 게이트 전극을 제작하는 방법
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(a) 플렉시블한 유기물로 이루어진 기판을 준비하는 단계; (c) 상기 기판과 접착성이 높은 접착층을 상기 기판의 일면에 형성하는 단계; (d) 상기 접착층의 일면에 게이트 전극의 도금성을 높여 주는 씨드 레이어를 형성하는 단계; (e) 상기 씨드 레이어 위에 감광막을 형성하는 단계; (f) 상기 감광막을 미리 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계; (g) 상기 감광막에 형성된 패턴에 전기도금 또는 무전해도금 공정을 이용하여 게이트 전극을 형성하는 단계; (h) 상기 감광막을 제거하는 단계; 및 (i) 상기 게이트 전극 이외의 영역에 있는 상기 접착층 및 씨드 레이어를 제거하는 단계를 포함하는 플렉시블 유기물 기판 상에 게이트 전극을 제작하는 방법
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제 2항에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 단계 전에, (b) 상기 기판의 접착성을 높이기 위해 그 일면을 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 전극을 제작하는 방법
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제 3항에 있어서, 상기 표면 처리는 산소(O2) 분위기에서의 유도 결합형 플라즈마법으로 상기 기판의 표면을 보다 거칠게 하고 작용기들을 형성시키어 접착성을 높이는 것을 특징으로 하는 게이트 전극을 제작하는 방법
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제 2항에 있어서, 상기 게이트 전극은 니켈(Ni), 구리(Cu), 및 금(Au)중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 게이트 전극을 제작하는 방법
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제 2항에 있어서, 상기 접착층은 크롬을 스퍼터링 증착법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 게이트 전극을 제작하는 방법
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제 2항에 있어서, 상기 씨드 레이어는 구리로 스퍼터링 증착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 게이트 전극을 제작하는 방법
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a) 플렉시블한 유기물로 이루어진 기판을 준비하는 단계; (c) 상기 기판과 접착성이 높은 접착층을 상기 기판의 일면에 형성하는 단계; (d) 상기 접착층의 일면에 게이트 전극의 도금성을 높여 주는 씨드 레이어를 형성하는 단계; (e) 상기 씨드 레이어 위에 감광막을 형성하는 단계; (f) 상기 감광막을 미리 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계; (g) 상기 감광막에 형성된 패턴에 전기도금 또는 무전해도금 공정을 이용하여 게이트 전극을 형성하는 단계; (h) 상기 감광막을 제거하는 단계; (i) 상기 게이트 전극 이외의 영역에 있는 상기 접착층 및 씨드 레이어를 제거하는 단계; (j) 상기 형성된 게이트 전극 일면에 유기물로 이루어진 절연체층을 형성하는 단계; (k) 상기 절연체층의 일면에 유기물로 이루어진 반도체층을 형성하는 단계; 및 (l) 상기 반도체층의 일면에 쉐도우 마스크를 이용하여 소스 및 드레인 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 단계 전에, (b) 상기 기판의 접착성을 높이기 위해 그 일면을 표면 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 표면 처리는 산소(O2) 분위기에서의 유도 결합형 플라즈마법으로 상기 기판의 표면을 보다 거칠게 하고 작용기들을 형성시키어 접착성을 높이는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 게이트 전극층은 니켈(Ni), 구리(Cu), 및 금(Au)중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 접착층은 크롬을 스퍼터링 증착법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 씨드 레이어는 구리로 스퍼터링 증착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 유기 절연체층은 폴리-4-비닐-페놀(PVP:poly-4-vinyl phenol), 폴리머 절연체, 폴리머 및 무기물 다층 박막중 하나를 스핀 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
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제 8항에 있어서, 상기 반도체층은 펜타센(Pentacene)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
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