요약 | 본 발명은 흡착억제제를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법은, 하부구조가 형성된 반도체 기판상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 일정 패턴의 트렌치(trench) 또는 비아(via)홀을 형성하는 단계와; 상기 트렌치 또는 비아홀이 형성된 반도체 기판상에, 상기 도전물질의 증착을 위한 증착공정과 상기 도전물질의 흡착을 억제하기 위한 흡착억제공정을, 상기 트렌치 또는 비아홀이 상기 도전물질로 채워질 때까지 연속적, 단계적, 순환적 방법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법으로 수행하여 도전층을 형성하는 단계와; 상기 절연층의 상부가 노출될 때까지 상기 도전층 제거공정을 수행하여 상기 트렌치 또는 비아홀을 제외한 부분의 도전층을 제거함에 의해 금속배선을 형성하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 금속배선 형성시 보이드나 연결선 없는 균일한 증착이 가능한 장점이 있다. 증착, 보이드, 흡착억제제, 구리, 트렌치 |
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Int. CL | H01L 21/28 (2006.01) |
CPC | H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080039447 (2008.04.28) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1069630-0000 (2011.09.27) |
공개번호/일자 | 10-2009-0113633 (2009.11.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20111005) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.04.28) |
심사청구항수 | 16 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 이내응 | 대한민국 | 경기도 과천시 |
2 | 문학기 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
3 | 김선일 | 대한민국 | 경상남도 밀양시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인다울 | 대한민국 | 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0305022-04 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.02.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0063408-19 |
3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.04.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0232970-19 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.04.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0232967-82 |
5 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2010.08.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0369413-25 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.08.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0559690-65 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.08.30 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2010-0559699-75 |
8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.12.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0561130-69 |
9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0086034-18 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0163515-07 |
11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.03.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0163516-42 |
12 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.09.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0537163-92 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서: 하부구조가 형성된 반도체 기판상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 일정 패턴의 트렌치(trench) 또는 비아(via)홀을 형성하는 단계와; 상기 트렌치 또는 비아홀이 형성된 반도체 기판상에, 도전물질의 증착을 위한 증착공정과 상기 도전물질의 흡착을 억제하기 위한 흡착억제공정을, 상기 트렌치 또는 비아홀이 상기 도전물질로 채워질 때까지 연속적, 단계적, 순환적 방법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법으로 수행하여 도전층을 형성하는 단계와; 상기 절연층의 상부가 노출될 때까지 상기 도전층 제거공정을 수행하여 상기 트렌치 또는 비아홀을 제외한 부분의 도전층을 제거함에 의해 금속배선을 형성하는 단계를 구비하며, 상기 흡착억제공정은, 흡착억제제(adsorption inhibitor) 기체분자 또는 래디컬(radical)을 표면에 흡착시켜, 상기 트렌치 또는 비아홀의 상부, 및 상기 트렌치 또는 비아홀의 내부를 제외한 상기 반도체 기판 상부면에 대한 상기 도전물질의 증착을 억제하는 공정이고, 상기 흡착억제제는 H2, NH3, N2H2, H2S, HI, CH4, C2H2, 및 C2H6 를 포함하는 수소(H)가 있는 기체분자들 중에서 선택된 어느 하나의 기체분자, 또는 상기 선택된 어느 하나의 기체분자의 플라즈마로부터 생성된 수소를 포함한 래디컬 중 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
2 |
2 청구항 1에 있어서, 상기 트렌치 또는 비아홀을 형성하는 단계이후 상기 도전층을 형성하는 단계이전에, 상기 트렌치 또는 비아홀이 형성된 반도체 기판상에, 상기 도전층의 확산을 방지하기 위한 확산방지층을 형성하는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
3 |
3 청구항 2에 있어서, 상기 확산방지층을 형성하는 단계 이후 상기 도전층을 형성하는 단계이전에, 상기 확산방지층이 형성된 반도체 기판 상에, 상기 도전물질의 증착시 핵생성 및 접착력 증가를 향상을 위한 금속장벽층을 형성하는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
4 |
4 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 도전물질은 구리 또는 구리합금임을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
5 |
5 청구항 4에 있어서, 상기 도전층의 형성은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)이 이용됨을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
6 |
6 청구항 5에 있어서, 상기 구리를 이용한 상기 도전층의 형성은 (hfac)CuVTMOS 계열, (hfac)CuTMVS 계열, 및 (hfac)CuDMB 계열 중에서 선택된 어느 하나의 구리전구체(precursor)를 이용하여 수행됨을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
7 |
7 청구항 6에 있어서, 상기 구리합금을 이용한 상기 도전층의 형성은, 상기 구리전구체에, 알루미늄(Al), 은(Ag), 코발트(Co), 텅스텐(W), 타이타늄(Ti), 니켈(Ni), 탄탈륨(Ta) 및 주석(Sn) 중에서 선택된 어느 하나를 주성분으로 포함하는 금속전구체들 중에서 적어도 하나의 전구체를 더 추가하여 수행됨을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
8 |
8 청구항 7에 있어서, 상기 구리합금은 구리에 대한 첨가물의 조성비가 0 |
9 |
9 삭제 |
10 |
10 청구항 1에 있어서, 상기 흡착억제제는 상기 수소를 포함한 래디컬을 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 가스에 희석한 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
11 |
11 청구항 3에 있어서, 상기 확산방지층 및 상기 금속장벽층은 원자층 증착(ALD;Atomic Layer Deposition) 방법을 통해 형성됨을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
12 |
12 청구항 11에 있어서, 상기 확산방지층은 Ti,TiN, 및 TiSiN을 포함하는 티타늄 계열, Ta,TaN, 및 TaSiN을 포함하는 탄탈륨 계열, 및 W 및 WN을 포함하는 텅스텐 계열을 포함하는 물질들 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 재질로 함을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
13 |
13 청구항 12에 있어서, 상기 금속장벽층은 Cu,Os,Ir,Ru,Co,Pd 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 재질로 함을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
14 |
14 청구항 13에 있어서, 상기 금속장벽층은 1~5nm의 두께를 가짐을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
15 |
15 청구항 14에 있어서, 상기 금속장벽층을 형성한 이후에, 상기 트렌치 하부에, 표면촉매제 처리를하여 상기 도전물질의 성장 속도를 높이는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
16 |
16 청구항 4에 있어서, 상기 트렌치 또는 비아홀을 제외한 부분의 도전층을 제거하는 단계에서의 상기 도전층의 제거는, 상기 도전층이 형성된 반도체 기판을 상기 절연층이 노출될 때까지 연마하는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 통해 수행됨을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
17 |
17 청구항 4에 있어서, 상기 도전층은, 상기 반도체 기판상에 형성되고 상기 트렌치 또는 비아홀 하부에 존재하는 별도의 금속배선과 전기적으로 연결되는 구조를 가짐을 특징으로 하는 금속배선 형성방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 산업자원부 한국부품소재진흥원 | 한국과학기술연구원 | 소재 원천 기술 개발 | 초임계박막제어기술(총괄),플라즈마응용고종횡비gap-full공정기술(세부-성균관대) |
특허 등록번호 | 10-1069630-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080428 출원 번호 : 1020080039447 공고 연월일 : 20111005 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110921 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 21/28 발명의 명칭 : 흡착억제제를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법 존속기간(예정)만료일 : 20160928 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2011년 09월 28일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2014년 06월 17일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2015년 07월 03일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0305022-04 |
2 | 의견제출통지서 | 2010.02.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0063408-19 |
3 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.04.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0232970-19 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.04.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0232967-82 |
5 | 최후의견제출통지서 | 2010.08.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0369413-25 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.08.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0559690-65 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.08.30 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2010-0559699-75 |
8 | 의견제출통지서 | 2010.12.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0561130-69 |
9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0086034-18 |
10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0163515-07 |
11 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.03.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0163516-42 |
12 | 등록결정서 | 2011.09.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0537163-92 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
기술번호 | KST2014028960 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 성균관대학교 |
기술명 | 흡착억제제를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
기술개요 |
본 발명은 흡착억제제를 이용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법은, 하부구조가 형성된 반도체 기판상에 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 일정 패턴의 트렌치(trench) 또는 비아(via)홀을 형성하는 단계와; 상기 트렌치 또는 비아홀이 형성된 반도체 기판상에, 상기 도전물질의 증착을 위한 증착공정과 상기 도전물질의 흡착을 억제하기 위한 흡착억제공정을, 상기 트렌치 또는 비아홀이 상기 도전물질로 채워질 때까지 연속적, 단계적, 순환적 방법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법으로 수행하여 도전층을 형성하는 단계와; 상기 절연층의 상부가 노출될 때까지 상기 도전층 제거공정을 수행하여 상기 트렌치 또는 비아홀을 제외한 부분의 도전층을 제거함에 의해 금속배선을 형성하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 금속배선 형성시 보이드나 연결선 없는 균일한 증착이 가능한 장점이 있다. 증착, 보이드, 흡착억제제, 구리, 트렌치 |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 금속배선 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345158165 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0093249 |
연구과제명 | 형태변환형 정보 입력용 센서 연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201602 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345165222 |
---|---|
세부과제번호 | R32-2011-000-10124-0 |
연구과제명 | 휴먼인터페이스 나노융합 요소기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200812~201308 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415094871 |
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세부과제번호 | M2007010006 |
연구과제명 | 초임계박막제어기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200706~201105 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1350021887 |
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세부과제번호 | R11-2000-086-01016-0 |
연구과제명 | 차세대신기능코팅설계및DB구축 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200603~200902 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415094871 |
---|---|
세부과제번호 | M2007010006 |
연구과제명 | 초임계박막제어기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 한국과학기술연구원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200706~201105 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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