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양극산화를 이용한 멀티레이어 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014022009
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 패키징 또는 디스플레이 분야 등에 이용되는 멀티레이어에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보다 간단한 공정 내지 적은 비용으로 멀티레이어를 제조할 수 있는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 멀티레이어 제조방법은, 기판의 표면에 제1금속층을 형성하는 제1단계; 상기 제1금속층을 부분적으로 양극산화시킴으로써 제1부분산화영역 및 제1금속배선을 가지는 제1회로를 형성하는 제2단계; 상기 제1금속층 및 제1부분산화영역을 전면적으로 양극산화시킴으로써 층간절연층을 형성하는 제3단계; 상기 층간절연층을 부분적으로 에칭함으로써 하나 이상의 관통홀을 형성하는 제4단계; 상기 층간절연층의 표면 및 관통홀 내에 제2금속층을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2금속층의 표면을 부분적으로 양극산화시킴으로서 제2부분산화영역 및 제2금속배선을 가지는 제2회로를 형성하는 제6단계를 포함한다. 양극산화, 멀티레이어, 관통홀, 층간절연층
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 23/12 (2006.01)
CPC H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01)
출원번호/일자 1020080029778 (2008.03.31)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0939273-0000 (2010.01.21)
공개번호/일자 10-2009-0104378 (2009.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20100129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서수정 대한민국 경기 수원시 권선구
2 임승규 대한민국 경기 안양시 동안구
3 박인수 대한민국 경기 수원시 장안구
4 나성훈 대한민국 경기 부천시 원미구
5 김진수 대한민국 서울 관악구
6 김태성 대한민국 경기 의왕시
7 염광섭 대한민국 충북 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0232916-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0359410-96
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0645785-20
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0645789-13
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0023214-21
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
기판의 표면에 제1금속층을 형성하는 제1단계; 상기 제1금속층을 부분적으로 양극산화시킴으로써 제1부분산화영역 및 제1금속배선을 가지는 제1회로를 형성하는 제2단계; 상기 제1부분산화영역 및 제1금속배선이 형성된 상기 제1금속층의 표면을 전면적으로 양극산화시킴으로써 층간절연층을 형성하는 제3단계; 상기 층간절연층을 부분적으로 에칭함으로써 하나 이상의 관통홀을 형성하는 제4단계; 상기 층간절연층의 표면 및 관통홀 내에 제2금속층을 형성하는 제5단계; 및 상기 제2금속층의 표면을 부분적으로 양극산화시킴으로서 제2부분산화영역 및 제2금속배선을 가지는 제2회로를 형성하는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2단계에서, 상기 제1금속층의 표면에 제1포토레지스트패턴을 형성하고, 상기 제1포토레지스트패턴을 통해 상기 제1금속층을 부분적으로 양극산화시킴으로써 제1부분산화영역 및 제1금속배선을 형성시킨 후에 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 제4단계에서, 상기 층간절연층의 표면에 제2포토레지스트패턴을 형성하고, 상기 제2포토레지스트패턴을 통해 상기 층간절연층을 부분적으로 에칭함으로써 관통홀을 형성시킨 후에 제2포토레지스트패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 제6단계에서, 상기 제2금속층의 표면에 제3포토레지스트패턴을 형성하고, 상기 제3포토레지스트패턴을 통해 상기 제2금속층을 부분적으로 양극산화시킴으로써 제2부분산화층 및 제2금속배선을 형성시킨 후에 상기 제3포토레지스트패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1금속층 및 제2금속층이 알루미늄이고, 상기 제1 및 제2 부분산화영역과 층간절연층이 알루미나인 것을 특징으로 하는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제2회로의 상부에 상기 제3 내지 제6단계를 1번 이상 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는, 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.