맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

화학적 큐어링에 의한 나노입자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014022208
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학적 큐어링에 의한 나노입자의 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 기판상에 금속박막을 증착시키는 단계, 상기 금속박막위에 절연체 전구체를 코팅하는 단계 및 상기 절연체 전구체에 큐어링제와 촉매제를 첨가하여 화학적 큐어링(curing)을 행하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명의 방법은 금속분말과 절연체 전구체를 혼합하는 단계, 이 혼합물을 기판위에 도포하는 단계, 상기 혼합물에 큐어링제와 촉매제를 첨가하여 화학적 큐어링을 행하는 단계를 포함한다. 본 발명의 방법에 의하면, 화학적 큐어링 방법을 사용하므로, 열 큐어링과 같은 고온의 공정을 사용하지 않고 나노입자를 간단하고 저비용으로 형성시킬 수 있는 효과가 있다. 나노입자, 절연체 전구체, 화학 큐어링(chemical curing)
Int. CL H01L 21/20 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020060051031 (2006.06.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0742720-0000 (2007.07.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070725) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.07)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 송파구
2 동웬구오 중국 서울시 성동구
3 최재연 대한민국 경기 안양시 동안구
4 김건홍 대한민국 서울시 성동구
5 윤준로 대한민국 서울시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0400125-80
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0057401-11
3 의견서
Written Opinion		 2007.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0247554-97
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0247541-04
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0410612-27
6 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0386223-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화학적 큐어링에 의한 나노입자의 제조방법으로서, (a) 기판위에 금속박막을 증착시키는 단계, (b) 상기 금속박막위에 절연체 전구체를 코팅하는 단계, (c) 상기 절연체 전구체에 큐어링제(curing agent)와 촉매제를 첨가하여, 화학적 큐어링을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
2 2
화학적 큐어링에 의한 나노입자의 제조방법으로서, (ⅰ) 금속분말과 절연체전구체를 혼합하는 단계, (ⅱ) 금속분말과 절연체전구체의 혼합물을 기판상에 도포하는 단계, (ⅲ) 상기 기판위의 금속분말과 절연체전구체와의 혼합물에 큐어링제와 촉매제를 첨가하여, 화학적 큐어링을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 단계 (b) 또는 단계 (ⅱ) 이후에, 기판을 80 ~ 150℃의 온도범위에서 중간 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 단계 (c) 또는 단계 (ⅲ) 이후에, 기판을 80℃ ~ 150℃의 온도범위에서 후속 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 큐어링제는 지방족 산성 무수물(aliphatic acidic anhydride) 및 방향족 무수물(aromatic anhydride) 중에서 선택되는 1종 이상이고, 상기 촉매제는 지방족 3차 아민(aliphatic tertiary amine), 방향족 3차 아민(aromatic tertiary amine) 및 헤테로사이클릭 3차 아민(heterocyclic tertiary amine) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 큐어링제는 (CH3CO)2O, (CH3CH2CO)2O, (CH2CO)2O, CH3(C6H3)H4(CO)2O 및 CH3C6H3H6(CO)2O 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이고, 상기 촉매제는 (C2H5)3N, C6H5N(CH3)2, C5H5N, C6H4(CH)3N 및 C6H5NH2 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
7 7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 절연체 전구체는 카르복시기(-COOH)를 갖는 산성 절연체 전구체인 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 산성 절연체 전구체는 폴리아믹산(polyamic aicd)인 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
9 9
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 단계 (b) 또는 단계 (ⅰ) 에서, 상기 절연체 전구체를 용매에 용해시켜 이의 농도를 조절하여 사용하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 용매는 N-메틸피롤리돈, 물, N-디메틸아세트아미드 및 디글림으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
11 11
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 금속박막의 두께, 금속분말의 양, 절연체 전구체의 종류, 농도 및 큐어링 시간 중 어느 하나 이상을 조절하여, 생성되는 나노입자의 크기 또는 밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 제조방법
12 12
청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 제조방법에 의해 제조되며, 절연체인 고분자 박막 내에 분산된 금속 또는 금속산화물 입자인 것을 특징으로 하는 나노입자
13 13
나노 크기에 의한 양자 구속 효과를 이용하는 광소자에 있어서, 청구항 12의 금속 또는 금속 산화물 나노입자가 분산된 고분자 박막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광소자
14 14
나노 크기에 의한 양자 구속 효과를 이용하는 전자소자에 있어서, 청구항 12의 금속 또는 금속 산화물 나노입자가 분산된 고분자 박막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전자소자
15 15
청구항 13에 있어서, 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 형성된 청구항 12의 금속 또는 금속 산화물 나노입자가 분산된 고분자 박막, 및 상기 고분자 박막 위에 형성된 전도막을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광소자
16 16
반도체 기판, 드레인 영역, 소스 영역, 플로팅 게이트, 및 컨트롤 게이트를 포함하여 구성되는 기억소자에 있어서, 상기 플로팅 게이트가 청구항 12의 고분자 박막 내에 분산된 나노입자로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 플로팅 플래쉬 기억소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05011384 JP 일본 FAMILY
2 JP21539629 JP 일본 FAMILY
3 US08422289 US 미국 FAMILY
4 US20090121272 US 미국 FAMILY
5 WO2007142457 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2009539629 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2009539629 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2009539629 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5011384 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2009121272 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8422289 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2007142457 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.