| 1 |
1
액정을 사이에 두고 박막트랜지스터 기판과 칼라필터 기판을 합착하여 형성된 액정 표시 장치에 있어서,상기 박막트랜지스터 기판은 상기 기판 상에 형성되어 게이트 전극에 의해 발생된 전기장을 분산하는 전극과;상기 전극 상에 형성된 전극 절연막과;상기 전극 절연막 상에 게이트전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터 및;상기 박막트랜지스터 상에 형성된 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 전극은 인듐산화주석(ITO), 니켈(Ni), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 철(Fe), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 인듐(In), 주석(Sn), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 구성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서,상기 전극은-100V ~ +100V 범위의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,상기 전극은표면적이 상부의 게이트 전극보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서,상기 전극은모든 화소의 박막트랜지스터 전부 또는 일부와 연결되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치
|
| 6 |
6
유기 전계 디스플레이 장치에 있어서,기판과;상기 기판 상에 형성되어 게이트 전극에 의한 전기장을 분산하는 전극과;상기 전극 상에 형성된 전극 절연막과;상기 전극 절연막 상에 형성된 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 전기용량과;상기 구동 박막트랜지스터 상에 형성된 화소전극과;상기 화소전극 상에 형성된 유기발광다이오드층 및;상기 유기발광다이오드 상에 형성된 캐소드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 장치
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,상기 전극은 인듐산화주석(ITO), 니켈(Ni), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 철(Fe), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 인듐(In), 주석(Sn), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 장치
|
| 8 |
8
제 6항에 있어서,상기 전극은-100V ~ +100V 범위의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 장치
|
| 9 |
9
제 6항에 있어서,상기 전극은표면적이 상부의 게이트 전극보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 장치
|
| 10 |
10
제 6항에 있어서,상기 전극은모든 화소의 박막트랜지스터 전부 또는 일부와 연결되어 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 장치
|
| 11 |
11
액정을 사이에 두고 박막트랜지스터 기판과 칼라필터 기판을 합착하여 형성된 액정 표시 장치 제조방법에 있어서,상기 박막트랜지스터 기판 제조는기판 상에 게이트 전극에 의한 전기장을 분산하는 전극을 형성하는 단계와;상기 전극 상에 전극 절연막을 형성하는 단계와;상기 전극 절연막 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 단계 및;상기 박막트랜지스터 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조방법
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는 인듐산화주석(ITO), 니켈(Ni), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 철(Fe), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 인듐(In), 주석(Sn), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 증착하는 단계와;포토리소그라피 공정을 통해 식각하여 패터닝하여 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조방법
|
| 13 |
13
제 11항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는전극의 표면적이 상부의 게이트 전극보다 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조방법
|
| 14 |
14
제 11항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는전극이 모든 화소의 박막트랜지스터와 전부 또는 일부가 연결되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조방법
|
| 15 |
15
유기 전계 디스플레이 장치 제조방법에 있어서,기판 상에 게이트 전극에 의한 전기장을 분산하는 전극을 형성하는 단계와;상기 전극 상에 전극 절연막을 형성하는 단계와;상기 전극 절연막 상에 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 전기용량을 형성하는 단계와;상기 구동 박막트랜지스터 상에 유기발광다이오드층을 형성하는 단계 및;상기 유기발광다이오드층 상에 캐소드층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 장치 제조방법
|
| 16 |
16
제 15항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는 인듐산화주석(ITO), 니켈(Ni), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 철(Fe), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 인듐(In), 주석(Sn), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 증착하는 단계와;포토리소그라피 공정을 통해 식각하여 패터닝하여 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 장치 제조방법
|
| 17 |
17
제 15항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는전극의 표면적이 상부의 게이트 전극보다 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 장치 제조방법
|
| 18 |
18
제 15항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는전극이 모든 화소의 박막트랜지스터와 전부 또는 일부가 연결되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 디스플레이 장치 제조방법
|
