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엑스레이 램프 및 엑스레이 램프용 필드 에미터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015166496
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 X-ray 장치에 사용되는 램프 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 X-ray 램프를 구성하는 전자방출원으로 탄소 나노튜브를 사용하여 부피가 작으면서도 원하는 크기를 갖는 에미터 소자를 제조하여 사용함으로써 X-ray 램프의 부피를 줄이고, 상기 에미터 소자의 수를 달리하여 크기 및 용량을 조절할 수 있는 X-ray 램프 및 X-ray 램프용 필드 에미터의 제조방법을 제공한다.전자방출, 에미터, X-ray, 탄소나노튜브, 레지스트 패터닝법, 전자방출부
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H05G 1/00 (2011.01)
CPC H05G 1/08(2013.01) H05G 1/08(2013.01) H05G 1/08(2013.01) H05G 1/08(2013.01) H05G 1/08(2013.01) H05G 1/08(2013.01)
출원번호/일자 1020070049448 (2007.05.22)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0102698 (2008.11.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.22)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규창 대한민국 서울 광진구
2 장 진 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0372997-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014355-08
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0585508-16
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0037340-88
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0103674-04
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0166960-67
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0166961-13
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0285403-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자방출원과, 전자방출원으로부터 방출된 전자를 충돌시켜 X선을 방출하는 타켓을 포함하는 X-ray 램프에 있어서,상기 X-ray 램프는 전자방출원은 에미터를 갖는 박막 형태의 전자방출 소자인 것을 특징으로 하는 X-ray 램프
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 X-Ray 램프의 전원공급기는 상기 전자방출 소자의 애노드 전극과 상기 타켓에 전원을 공급하는 DC 전원공급기와, 상기 전자방출 소자의 매쉬 전극에 전원을 공급하는 AC/DC 전원공급기를 포함하는 것을 특징으로 하는 X-ray 램프
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 필드 에미터의 메쉬 전극의 수는 방출되는 전자빔의 집속에 따라 1 내지 5개인 것을 특징으로 하는 X-ray 램프
4 4
전자방출원과, 전자방출원으로부터 방출된 전자를 충돌시켜 X선을 방출하는 타켓과, 상기 타겟에서 방출된 X선을 필터링하기 위한 글라스 필터와, 상기 전자방출원과 타겟, 그리고 글라스 필터가 설치되는 진공 케이스와, 상기 타켓과 전자방출원에 전원을 공급하는 전원공급기로 구성된 X-ray 램프에 있어서,상기 X-ray 램프의 크기 및 용량에 따라 필요한 전류를 계산하여 그에 맞는 에미터 개수를 M×N개(M, N은 1 이상의 자연수)의 탄소나노튜브로 형성된 에미터를 갖는 필드 에미터를 타일링방식으로 결합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 X-ray 램프
5 5
X-Ray 램프의 전자방출원으로 사용되는 전자방출 소자의 필드 에미터 제조방법에 있어서, 기판 상부에 캐소드 전극을 형성하고 그 상부에 촉매 금속층을 형성하는 단계와; 상기 촉매 금속층 상부에 포토레지스트층을 형성하고 리소그라피 공정에 의해 원하는 위치에 원하는 모양의 패턴을 형성하고 촉매 금속층이 노출되도록 레지스트층을 형성하는 단계와;상기 노출된 촉매 금속층을 식각하고, 식각되지 않은 촉매 금속층 상부의 레지스트층을 잔류시키는 단계와;상기 패터닝된 촉매 금속층을 어닐링하여 탄소나노튜브가 성장될 수 있도록 씨앗(Seed)을 성장시키는 단계와;상기 씨앗이 형성된 촉매 금속층을 이용하여 에미터를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 X-ray 램프용 필드 에미터 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 기판은,유리 기판, 석영 기판, 규소(실리콘 웨이퍼) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 X-ray 램프용 필드 에미터 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 촉매 금속층은,니켈(Ni), 철(Fe) 또는 코발트(Co)와 같은 전이 금속 중 어느 하나이거나, 코발트-니켈, 코발트-철, 니켈-철 또는 코발트-니켈-철이 합성된 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 X-ray 램프용 필드 에미터 제조방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 포토레지스트층은,스핀코팅 방법 또는 슬릿 코팅법 으로 0
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 포토레지스트층을 형성하기 위해 사용되는 레지스터는,무기 레지스트, 유기 레지스트 및 유,무기 혼합형 레지스트, 또는 감광형 유리페이스트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 X-ray 램프용 필드 에미터 제조방법
10 10
제 5 항에 있어서, 상기 촉매 금속층을 어닐링하는 방법은,반응로의 온도를 약 500 내지 800 ℃로 유지한 상태에서 30 분 내지 수 시간 동안 용융하여 탄소나노튜브 형성을 위한 씨앗(seed)을 성장시키는 것을 특징으로 하는 X-ray 램프용 필드 에미터 제조방법
11 11
제 5 항에 있어서, 상기 필드 에미터를 구성하는 에미터는,탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 X-ray 램프용 필드 에미터 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브는,플라즈마 화학기상층착법을 이용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 X-ray 램프용 필드 에미터 제조방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 탄소 나노튜브는,CNT를 포함하는 접착제(Paste)를 이용하여 캐소드 전극에 프린팅 법을 이용하여 직접 코팅하는 것을 특징으로 X-ray 램프용 필드 에미터 제조방법
14 14
제 5 항에 있어서, 상기 촉매 금속층은,게이트 전극 상부에 포토레지스트를 도포하고, 촉매 금속층이 형성될 부분을 식각하여 패턴닝하는 단계와;상기 패터닝된 포토레지스트층 상부에 촉매 금속층을 형성하고 리프트 오프방법으로 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 X-ray 램프용 필드 에미터 제조방법
15 15
제 1 항의 필드 에미터 제조방법에 따라 M×N개(M,N은 1이상의 자연수)의 에미터를 갖는 다수개의 필드 에미터를 제조하는 단계와;상기 제조된 다수개의 필드 에미터를 타일링하는 방법으로 부착한 대용량 대면적의 필드 에미터를 형성하여 X-ray 램프에 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 X-ray 램프의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.