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평면형 엑스레이 램프 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015167315
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평면형 엑스레이 램프(X-ray lamp) 및 그 제조방법에 관한 것 으로, 특히 평면형 엑스레이 램프에 사용되는 필드 에미터(field emitter)의 에미터를 탄소나노튜브를 이용하여 제조하고, 상기 필드 에미터를 램프 기판의 일측에 설치하며, 상기 램프 기판의 타측에 삼각 가로기둥 형태의 애노드(anode) 전극을 경사면이 에미터와 마주보도록 형성하고, 필드 에미터와 애노드 전극사이에 게이트 전을 설치한 기본 단위의 엑스레이 램프를 제공하고, 상기 기본 단위의 엑스레이 램프 다수개를 일렬 또는 2차원적인 평면형태로 배열함으로써 대면적을 가지며 원하는 크기로 제조되는 평면형 엑스레이 램프 및 그 제조방법을 제공한다.평면형 엑스레이 램프
Int. CL H01J 61/30 (2011.01) H01J 31/12 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 31/12(2013.01) H01J 31/12(2013.01) H01J 31/12(2013.01) H01J 31/12(2013.01)
출원번호/일자 1020070050193 (2007.05.23)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0103196 (2008.11.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 발송처리완료
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.23)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규창 대한민국 서울 광진구
2 장 진 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0378067-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0076410-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0062022-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0246485-01
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0322948-00
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0349611-06
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0349609-14
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0512422-00
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2009.01.13 수리 (Accepted) 7-8-2009-0001484-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
절연특성을 갖는 램프 기판과; 상기 램프 기판의 상부 일측에 에미터가 눕혀지도록 설치되는 필드 에미터와; 상기 램프 기판의 상부 타측에 경사진 면이 필드 에미터와 마주보도록 형성되는 삼각 가로기둥 형태의 애노드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 램프 기판은 석영, 유리 또는 테프론으로 형성된 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 필드 에미터는 탄소나노튜브 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 애노드 전극은 텅스텐, 구리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평면형 평면형 엑스레이 램프
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 엑스레이 램프는,상기 필드 에미터에서 방출된 전자를 가속시키는 게이트 전극을 필드 에미터와 애노드 전극 사이에 더 설치한 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프
6 6
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 게이트 전극은,상기 필드 에미터의 에미터 상부에 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프
7 7
제 1 항의 엑스레이 램프 두 개를 일렬 배열하여 합착한 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프
8 8
제 1 항의 엑스레이 램프 다수개를 일렬로 배열하여 합착한 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프
9 9
제 1 항의 엑스레이 램프 다수개를 2차원적으로 평면 배열하여 합착한 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프
10 10
램프 기판 상부 일측에 필드 에미터를 형성하는 단계와;상기 램프 기판 상부의 타측에 상기 필드 에미터의 에미터와 경사진 부분이 마주보도록 삼각 가로기둥 형상의 애노드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프의 제조방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 램프기판 상부에 애노드 전극을 형성하는 방법은,텅스텐, 구리 중 어느 하나를 이용하여 스퍼터링, 증착법, 또는 전자빔 증착법을 이용하여 삼각 가로기둥 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프 제조방법
12 12
제 9 항에 있어서,상기 필드 에미터와 애노드 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프 제조방법
13 13
제 10 항에 있어서,상기 필드 에미터는,기판 상부에 촉매 금속층을 형성하는 단계와;상기 촉매 금속층 상부에 레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 레지스트 패턴 상부에 에미터를 성장시키는 단계로 제조되는 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 에미터 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프 제조방법
15 15
제 13 항에 있어서,상기 에미터를 성장시키는 단계는,플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 탄소나노튜브를 성장시키는 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프 제조방법
16 16
제 10 항에 의해 제조된 엑스레이 램프 다수개를 선형적으로 배열 합착하는 것을 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프 제조방법
17 17
제 10 항에 의해 제조된 엑스레이 램프 다수개를 2차원적 평면으로 배열 합착하는 특징으로 하는 평면형 엑스레이 램프 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.