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실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014030066
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 파우더를 이용하여 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘 웨이퍼 제조 공정에서 발생하고 파우더 형태를 갖는 실리콘 슬러리를 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 대신하여 박막 트랜지스터의 제조에 사용함으로써 박막 트랜지스터를 구성하는 활성층을 용이하게 형성할 수 있고, 제조비용을 절감할 수 있는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다.실리콘 슬러리, 실리콘 파우더, 박막 트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/78651(2013.01) H01L 29/78651(2013.01) H01L 29/78651(2013.01)
출원번호/일자 1020070033021 (2007.04.03)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0871113-0000 (2008.11.24)
공개번호/일자 10-2008-0090054 (2008.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20081128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.03)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박규창 대한민국 서울 광진구
2 장 진 대한민국 서울 서초구
3 추병권 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 월드빔솔루션 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0259571-99
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0414363-46
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0000271-99
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0082041-98
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0277695-08
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0352571-38
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0436886-52
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0436887-08
12 등록결정서
Decision to grant		 2008.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0529030-03
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 게이트 전극, 절연막, 활성층, 소오스/드레인 전극, 패시베이션층을 갖는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 활성층은 웨이퍼 제조공정에서 발생한 실리콘 슬러리를 이용하여 박막 형태로 형성하고 소결을 실시한 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 슬러리는,웨이퍼 제조공정에서 발생한 실리콘 슬러리, 웨이퍼 공정에서 발생한 실리콘 슬러리들을 연마하여 입자크기를 1㎛ 이하로 제조한 실리콘 파우더, 또는 화학물질을 첨가하여 용액 상태로 만든 실리콘 슬러리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터
3 3
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 슬러리로 형성된 활성층에 기판으로부터 오염물질이 유입되는 것을 방지하기 위하여 기판 상부에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터
4 4
제 3 항에 있어서,상기 버퍼층은,실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막, 실리케이트 막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 활성층이 진성 실리콘으로 형성되는 경우, 활성층 상부에 n형 또는 p형 도핑을 실시한 도핑층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터
6 6
제 1 항, 제 3 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는,역 스테거드 구조 또는 플라나 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터
7 7
기판 상부에 게이트 전극, 절연막, 활성층, 소오스/드레인 전극, 패시베이션층을 형성하여 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,상기 활성층은 기판 또는 절연막 상부에 웨이퍼 제조공정에서 발생한 실리콘 슬러리를 이용하여 박막 형태로 형성하는 단계와; 상기 실리콘 슬러리 박막을 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 막막 트랜지스터의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 실리콘 슬러리를 이용하여 활성층을 형성하는 단계에서,상기 활성층은 스핀코팅, 딥핑, 스프레이를 이용한 도포방법 또는 스퀴지를 이용한 스크린 프린팅 방법 중 어느 한 방법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계에서,상기 활성층은 포토리소그라피, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 방법 중 어느 하나를 사용하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계에서,상기 활성층은 마스크 정리기와 노광기 또는 스크린 프린팅 상에 얼라인 키를 이용하여 원하는 위치에 정렬시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제 7 항에 있어서,상기 소결방법은, 점진적으로 온도를 상승시키는 퍼니스(Furnace) 방법, 급격하게 온도를 향상시키는 급속열처리(RTA)방법, 빔 조사방법, RTA와 빔 조사방법을 혼합하여 사용하는 방법 중 어느 한 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 퍼니스 방법 및 급속열처리 방법에는 할로겐 램프 또는 자외선 램프가 사용되며,상기 빔 조사방법은 UV 어닐링 또는 레이저 조사를 이용한 어닐링 방법이 사용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
14 14
제 7 항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계에서,상기 실리콘 슬러리는 n형 도핑된 실리콘 슬러리, p형 도핑된 실리콘 슬러리, n형 또는 p형 도핑이 되지 않은 진성 실리콘 슬러리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법
15 15
제 7 항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계에서진성 실리콘 슬러리를 사용하여 형성할 경우, 활성층에 이온주입을 실시하여 도핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 도핑층을 형성하기 위해 활성층에 이온을 주입하는 방법은,플라즈마 발생장치에서 생성된 이온을 열확산법을 이용하여 주입하는 방법 또는 이온 빔을 이용하여 직접 이온을 임플란트(implant)시키는 방법 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
17 17
제 15 항에 있어서,상기 도핑층을 형성하는 단계는, p형 도핑된 실리콘 슬러리 또는 n형 도핑된 실리콘 슬러리를 포토리소그라피, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 방법 중 어느 하나를 사용하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
18 18
제 7 항에 있어서,상기 실리콘 슬러리로 형성된 활성층을 형성하기 전 단계로 기판으로부터 오염물질이 유입되는 것을 방지하기 위하여 기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계에서,상기 버퍼층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막, 실리게이트막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
20 20
제 18 항 또는 제 19항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계에서,상기 버퍼층은 화학기상증착법 또는 절연물을 코팅하여 열처리하는 방법 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 슬러리를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.