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박막 성장방법

  • 기술번호 : KST2014028214
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 상에서의 표면 입자크기 및 표면 거칠기를 향상시켜 캐리어 이동도 특성 및 광산란 효과를 개선할 수 있는 박막 성장방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 성장방법은 기판 상에 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들의 핵이 형성되는 제 1 단계와, 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 1 결정 성장방향을 갖는 제 1 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 1 결정입자들로 이루어진 제 1 집합조직을 형성하는 제 2 단계 및 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 2 결정 성장방향을 갖는 제 2 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 2 결정입자들로 이루어진 제 2 집합조직을 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제 2 집합조직을 구성하는 제 2 결정입자 각각의 표면 면적은 상기 제 1 집합조직을 구성하는 제 1 결정입자 각각의 표면 면적보다 큰 것을 특징으로 한다. 우선성장, 선택성장, 성장방향제어
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080061513 (2008.06.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0960595-0000 (2010.05.24)
공개번호/일자 10-2010-0001559 (2010.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20100607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
2 김원목 대한민국 서울특별시 노원구
3 이경석 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 박종극 대한민국 서울특별시 서초구
5 정증현 대한민국 서울특별시 관악구
6 이수연 대한민국 경기도 용인시 수지구
7 이택성 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0464178-46
2 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.18 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0795172-47
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2008.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0128544-55
4 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0813882-68
5 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2008.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0130810-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-0017160-75
9 등록결정서
Decision to grant
2010.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0202933-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들의 핵이 형성되는 제 1 단계; 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 1 결정 성장방향을 갖는 제 1 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 1 결정입자들로 이루어진 제 1 집합조직을 형성하는 제 2 단계; 및 상기 다양한 결정 성장방향을 갖는 결정입자들 중 제 2 결정 성장방향을 갖는 제 2 결정입자들의 우선 성장을 유도하여, 우선 성장된 제 2 결정입자들로 이루어진 제 2 집합조직을 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 제 2 집합조직을 구성하는 제 2 결정입자 각각의 표면 면적은 상기 제 1 집합조직을 구성하는 제 1 결정입자 각각의 표면 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 박막 성장방법
2 2
제 1 항에 있어서, 제 1 결정입자들 및 제 2 결정입자들의 우선 성장 전, 상기 제 2 결정입자들 사이의 간격은 상기 제 1 결정입자들 사이의 간격보다 큰 것을 특징으로 하는 박막 성장방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 결정 성장방향에서 상기 제 2 결정 성장방향으로의 결정 성장방향의 변화는 열역학적 공정 조건의 변화를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 박막 성장방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 열역학적 공정 조건은 온도, 압력, 이종원소의 첨가 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 박막 성장방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 단계 내지 제 3 단계는 화학적기상증착 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 박막 성장방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 박막은 ZnO 박막인 것을 특징으로 하는 박막 성장방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 1 결정 성장방향과 제 2 결정 성장방향은 서로 다르며, 003c#0002003e# 방향과 003c#1120003e# 방향 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 성장방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08247031 US 미국 FAMILY
2 US20090324824 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009324824 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8247031 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.