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다이아몬드의 고온 처리를 통한 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014028217
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다이아몬드를 고온 처리하여 다이아몬드 표면을 그라핀으로 변환시킴으로써 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질을 얻는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 다양한 형태의 다이아몬드를 수소 가스 분위기하에서 그라핀 상이 안정한 온도 (약 1200 ℃ 이상)로 유지시키면, 다이아몬드 111 격자 면 2개가 하나의 그라핀 판으로 변환 (2:1 변환)되는 원리에 의해, 다이아몬드 표면이 일정 두께만큼 그라핀으로 변환되어 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질을 제조할 수 있다. 그라핀, 다이아몬드, 수소, 하이브리드, 플라즈마, 고온 처리, AA 적층, 변환
Int. CL B32B 19/04 (2006.01) B32B 19/00 (2006.01) C01B 31/06 (2006.01)
CPC C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01)
출원번호/일자 1020080050480 (2008.05.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0973697-0000 (2010.07.28)
공개번호/일자 10-2009-0124341 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울 노원구
2 이소형 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 이승철 대한민국 서울 관악구
4 안재평 대한민국 서울 서초구
5 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 이욱성 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0387156-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0031420-56
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0042224-78
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0191445-65
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0191444-19
8 등록결정서
Decision to grant
2010.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0307510-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다이아몬드 모재와; 상기 다이아몬드 모재의 표면에서 단절되는 {111} 격자 면이, 상기 격자 면의 교번적 소실에 의해, 일정 두께만큼 변환된 AA 적층 그라핀을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질
2 2
제1항에 있어서, 상기 AA 적층 그라핀과 변환 후의 다이아몬드 모재의 계면 (이하, '그라핀/다이아몬드 계면') 중 그라핀과 다이아몬드가 결합되지 않은 단절된 다이아몬드 {111} 격자 상에 수소 원자가 결합된 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질
3 3
제1항에 있어서, 상기 AA 적층 그라핀 표면에서의 면간 거리는 그라핀/다이아몬드 계면에서의 면간 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질
4 4
제1항에 있어서, 상기 다이아몬드 모재는 분말, 막 또는 판 형상인 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질
5 5
제1항에 있어서, 상기 다이아몬드 모재는 단결정 또는 다결정인 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질
6 6
다이아몬드 모재를 수소 가스 분위기하에서 그라핀 상이 안정한 온도 영역 내로 유지시켜, 상기 다이아몬드 모재의 표면에서 단절되는 {111} 격자 면의 교번적 소실에 의해, 상기 다이아몬드 모재 표면을 일정 두께만큼 AA 적층 그라핀으로 변환시키는 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 변환은 상기 다이아몬드 모재의 표면으로부터 내부로 진행하는 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질이 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 다이아몬드 모재를 그라핀 상이 안정한 온도 영역 내로 유지시키는 데에 열, 플라즈마 또는 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 열 처리 시, 상기 다이아몬드 모재 표면의 온도가 1,300~1,800 ℃가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질의 제조 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 시, 상기 다이아몬드 모재 표면의 온도가 1,200~1,600 ℃가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 AA 적층 그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질의 제조 방법
11 11
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3 US8318268 US 미국 DOCDBFAMILY
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