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능동 인덕터

  • 기술번호 : KST2014031627
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 능동 인덕터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 접지 능동 인덕터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 능동 인덕터는, 전원(VDD)에 일단이 연결된 전류원과, 전류원의 타단에 드레인이 연결되고 접지에 소스가 연결된 제 1 MOSFET와, 전원에 드레인이 연결되고 전류원의 타단에 게이트가 연결되고 제 1 MOSFET의 게이트에 소스가 연결된 제 2 MOSFET와, 제 1 MOSFET의 게이트에 일단이 연결되고 접지에 타단이 연결된 저항과, 전류원의 타단에 일단이 연결되고 접지에 타단이 연결된 버랙터(varactor)를 포함한다. 능동 인덕터(active inductor), 버랙터(varactor), RFIC(Radio Frequency integrated Circuits)
Int. CL H03H 11/48 (2006.01.01) H01L 27/04 (2006.01.01) H03B 5/08 (2006.01.01) H01L 27/02 (2006.01.01)
CPC H03H 11/48(2013.01) H03H 11/48(2013.01) H03H 11/48(2013.01) H03H 11/48(2013.01)
출원번호/일자 1020090018429 (2009.03.04)
출원인 한국전자통신연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1043668-0000 (2011.06.16)
공개번호/일자 10-2010-0099873 (2010.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20110624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창선 대한민국 서울특별시 강동구
2 박장현 대한민국 서울특별시 서초구
3 최성훈 대한민국 서울특별시 마포구
4 윤태열 대한민국 서울특별시 성동구
5 김영민 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0133034-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0036385-65
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0309074-90
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
능동 인덕터에 있어서, 전원(VDD)에 일단이 연결된 전류원과, 상기 전류원의 타단에 드레인이 연결되고, 접지에 소스가 연결된 제 1 MOSFET와, 상기 전원에 드레인이 연결되고, 상기 전류원의 타단에 게이트가 연결되고, 상기 제 1 MOSFET의 게이트에 소스가 연결된 제 2 MOSFET와, 상기 제 1 MOSFET의 게이트에 일단이 연결되고, 상기 접지에 타단이 연결된 저항과, 상기 전류원의 타단에 일단이 연결되고, 상기 접지에 타단이 연결된 버랙터(varactor) 를 포함하는, 능동 인덕터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전류원의 타단과 상기 제 2 MOSFET의 게이트 사이에 연결된 저항을 더 포함하는, 능동 인덕터
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 MOSFET과 상기 제 2 MOSFET은 NMOSFET인, 능동 인덕터
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 MOSFET은 포화(saturation) 영역에서 동작하고, 상기 제 2 MOSFET은 서브쓰레숄드(subthreshold) 영역에서 동작하는, 능동 인덕터
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 전류원은 PMOSFET이고, 상기 PMOSFET는 게이트에 인가되는 전압에 따라 상기 전류원에서 생성되는 전류가 가변하는, 능동 인덕터
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 버랙터는 가변 캐패시터인, 능동 인덕터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.