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캘리브래이션 회로 및 집적회로

  • 기술번호 : KST2015141049
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 터미네이션 저항 회로 및 집적회로에 관한 것으로서, 캘리브래이션 노드에서 상호 병렬 연결되며 제1차 캘리브래이션 코드에 의해 개별적으로 턴온 제어되는 다수의 저항을 포함하는 캘리브래이션 저항수단; 상기 캘리브래이션 노드의 전압과 제1기준전압을 비교하여 상기 제1차 캘리브래이션 코드를 갱신하는 제1차 캘리브래이션생성수단; 및 상기 제1차 캘리브래이션 코드의 갱신이 완료된 이후에 인에이블되며 상기 캘리브래이션 노드의 전압과 제2기준전압을 비교하여 제2차 캘리브래이션 코드를 생성하는 제2차 캘리브래이션코드생성수단을 포함하되, 전체 캘리브래이션 코드는 상기 제1차 캘리브래이션 코드와 제2차 캘리브래이션 코드로 구성됨. 본 발명에 따르면, 양자화 에러를 감소시킴으로써 보다 정확하게 임피던스 부정합을 제거할 수 있음. 캘리브래이션, 양자화 에러, 2차 캘리브래이션
Int. CL G11C 7/10 (2015.01.01) G11C 5/14 (2006.01.01) G11C 7/22 (2015.01.01)
CPC G11C 7/1048(2013.01) G11C 7/1048(2013.01) G11C 7/1048(2013.01) G11C 7/1048(2013.01)
출원번호/일자 1020080087521 (2008.09.05)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0933670-0000 (2009.12.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20091223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.05)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정종호 대한민국 서울특별시 송파구
2 이재진 대한민국 경기도 이천시
3 곽계달 대한민국 서울특별시 성동구
4 박경수 대한민국 서울특별시 성동구
5 최재웅 대한민국 서울특별시 성동구
6 채명준 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0631498-14
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0042476-06
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0077581-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0404084-49
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0717812-98
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0717811-42
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0492652-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
캘리브래이션 노드에서 상호 병렬 연결되며 제1차 캘리브래이션 코드에 의해 개별적으로 턴온 제어되는 다수의 저항을 포함하는 캘리브래이션 저항수단; 상기 캘리브래이션 노드의 전압과 제1기준전압을 비교하여 상기 제1차 캘리브래이션 코드를 갱신하는 제1차 캘리브래이션생성수단; 및 상기 제1차 캘리브래이션 코드의 갱신이 완료된 이후에 인에이블되며 상기 캘리브래이션 노드의 전압과 제2기준전압을 비교하여 제2차 캘리브래이션 코드를 생성하는 제2차 캘리브래이션코드생성수단 을 포함하되, 전체 캘리브래이션 코드는 상기 제1차 캘리브래이션 코드와 제2차 캘리브래이션 코드로 구성되는 캘리브래이션 회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2차 캘리브래이션 코드는 상기 전체 캘리브래이션 코드의 최하위 코드인 캘리브래이션 회로
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1차 캘리브래이션생성수단은 상기 캘리브래이션 노드의 전압이 소정의 타깃 레인지에 속하는지 여부에 따라 상기 제1차 캘리브래이션생성수단의 인에이블을 제어하는 홀드로직부 를 포함하는 캘리브래이션 회로
4 4
제3항에 있어서, 상기 캘리브래이션 저항수단은 최대 저항값을 초기값으로 하는 캘리브래이션 회로
5 5
제4항에 있어서, 상기 소정의 타깃 레인지는 하기 [수학식1]로 표현되는 캘리브래이션 회로
6 6
제5항에 있어서, 상기 제2기준전압은 [VREF-3
7 7
제4항에 있어서, 상기 소정의 타깃 레인지는 하기 [수학식2]로 표현되는 캘리브래이션 회로
8 8
제7항에 있어서, 상기 제2기준전압은 [VREF+3
9 9
제1차 캘리브래이션 코드에 의해 개별적으로 턴온 제어되는 다수의 저항에 의해 형성되는 캘리브래이션 노드 전압과 제1기준전압을 비교하여 상기 제1차 캘리브래이션 코드를 갱신하며, 상기 캘리브래이션 노드의 전압과 제2기준전압을 비교하여 제2차 캘리브래이션 코드를 생성하는 캘리브래이션 회로; 및 상기 제1차 캘리브래이션 코드에 응답하여 제1터미네이션 저항의 온오프를 제어하며, 상기 제2차 캘리브래이션 코드에 응답하여 서로 다른 저항값을 갖는 다수의 제2터미네이션 저항 중 어느 하나를 선택함으로써 전체 터미네이션 저항값을 조절하는 터미네이션 저항회로 를 포함하되, 전체 캘리브래이션 코드는 상기 제1차 캘리브래이션 코드와 제2차 캘리브래이션 코드로 구성되는 집적 회로
10 10
제9항에 있어서, 상기 다수의 제2터미네이션 저항은 3
11 11
제10항에 있어서, 상기 캘리브래이션 회로는 캘리브래이션 노드에서 상호 병렬 연결되며 제1차 캘리브래이션 코드에 의해 개별적으로 턴온 제어되는 다수의 저항을 포함하는 캘리브래이션 저항수단; 상기 캘리브래이션 노드의 전압과 제1기준전압을 비교하여 상기 제1차 캘리브래이션 코드를 갱신하는 제1차 캘리브래이션생성수단; 및 상기 제1차 캘리브래이션 코드의 갱신이 완료된 이후에 인에이블되며 상기 캘리브래이션 노드의 전압과 제2기준전압을 비교하여 제2차 캘리브래이션 코드를 생성하는 제2차 캘리브래이션코드생성수단 을 포함하는 집적 회로
12 12
제11항에 있어서, 상기 제2차 캘리브래이션 코드는 상기 전체 캘리브래이션 코드의 최하위 코드인 집적 회로
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1차 캘리브래이션생성수단은 상기 캘리브래이션 노드의 전압이 소정의 타깃 레인지에 속하는지 여부에 따라 상기 제1차 캘리브래이션생성수단의 인에이블을 제어하는 홀드로직부 를 포함하는 집적 회로
14 14
제13항에 있어서, 상기 캘리브래이션 저항수단은 최대 저항값을 초기값으로 하는 집적 회로
15 15
제14항에 있어서, 상기 소정의 타깃 레인지는 하기 [수학식1]로 표현되는 집적 회로
16 16
제15항에 있어서, 상기 제2기준전압은 [VREF-3
17 17
제16항에 있어서, 상기 터미네이션 저항회로는 상기 캘리브래이션 노드의 전압이 상기 제2기준전압보다 높은 경우에는 상기 제1저항을 선택하는 집적 회로
18 18
제16항에 있어서, 상기 터미네이션 저항회로는 상기 캘리브래이션 노드의 전압이 상기 제2기준전압보다 낮은 경우에는 상기 제2저항을 선택하는 집적 회로
19 19
제14항에 있어서, 상기 소정의 타깃 레인지는 하기 [수학식2]로 표현되는 집적 회로
20 20
제19항에 있어서, 상기 제2기준전압은 [VREF+3
21 21
제20항에 있어서, 상기 터미네이션 저항회로는 상기 캘리브래이션 노드의 전압이 상기 제2기준전압보다 높은 경우에는 상기 제2저항을 선택하는 집적 회로
22 22
제20항에 있어서, 상기 터미네이션 저항회로는 상기 캘리브래이션 노드의 전압이 상기 제2기준전압보다 낮은 경우에는 상기 제1저항을 선택하는 집적 회로
23 23
제9항에 있어서, 상기 집적 회로는 온 다이 터미네이션 장치인 집적 회로
24 24
제9항에 있어서, 상기 집적 회로는 반도체 메모리 장치인 집적 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.