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플러렌 기반의 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141187
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 절연성 고분자 안에 분산된 플러렌을 플로팅 게이트로 사용하는 새로운 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 플래시 메모리 소자는, 반도체 기판; 반도체 기판 상에 형성되고 플러렌이 분산된 절연성 고분자 박막으로 이루어져, 플러렌 아래쪽의 절연성 고분자 박막으로 된 터널링 절연막/ 플러렌으로 된 플로팅 게이트/ 플러렌 위쪽의 절연성 고분자 박막으로 된 게이트 절연막의 스택구조; 스택구조 양측의 반도체 기판 내에 형성된 소스 및 드레인; 및 스택구조 상의 컨트롤 게이트를 포함한다. 본 발명에 따르면, 고분자 내에서의 플러렌의 분포와는 무관하게 단지 농도를 변화시키는 것만으로 소자의 전기적 특성을 변화시킬 수 있기 때문에 구동 조건에 맞게 소자를 최적화하는 데에 유리하다. 그리고, 절연성 고분자를 사용하기 때문에 따로 전자의 누설을 막기 위한 절연층의 형성이 필요 없어 공정을 보다 간단하게 할 수 있다. 또한 소자 구동시 플로팅 게이트 안에 흐르는 전류가 극히 작거나 흐르지 않기 때문에 전류에 흐름으로 발생하는 고분자의 열화를 최소화하여 수명을 증가시킬 수 있으며, 대량 생산시 소자의 신뢰성 및 재현성을 크게 높일 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070081628 (2007.08.14)
출원인 한양대학교 산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-0888848-0000 (2009.03.09)
공개번호/일자 10-2009-0017125 (2009.02.18) 문서열기
공고번호/일자 (20090317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 김혁주 대한민국 서울 강남구
3 함정훈 대한민국 경기 성남시 분당구
4 정재훈 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0587362-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014091-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0336187-80
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0575293-69
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0575299-32
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0656280-09
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0673154-08
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0636314-41
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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반도체 기판 상에 플러렌이 분산된 절연성 고분자 박막을 형성하는 단계;상기 플러렌이 분산된 절연성 고분자 박막을 패터닝함으로써, 상기 플러렌 아래쪽의 절연성 고분자 박막으로 된 터널링 절연막/상기 플러렌으로 된 플로팅 게이트/상기 플러렌 위쪽의 절연성 고분자 박막으로 된 게이트 절연막의 스택구조를 형성하는 단계; 상기 스택구조 양측의 상기 반도체 기판 내에 소스 및 드레인을 형성하는 단계; 및상기 스택구조 상에 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를 포함하고,상기 플러렌이 분산된 절연성 고분자 박막을 형성하는 단계는,용매에 상기 플러렌과 상기 절연성 고분자를 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계;상기 반도체 기판 상에 상기 혼합 용액을 스핀 코팅하는 단계; 및상기 스핀 코팅된 혼합 용액으로부터 용매를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 플러렌의 농도를 높여 플랫밴드(flat band) 전압(VFB)의 변화폭을 넓히거나 상기 플러렌의 농도를 낮춰 플랫밴드 전압의 변화폭을 좁히는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제조 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 절연성 고분자는 PVK, PVP, MEH-PPV, PS, PI, PFV 및 PFV의 PPV 코폴리머 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제조 방법
7 7
제4항에 있어서, 상기 플러렌은 C60 및 고차의 플러렌(C70, C76, C78, C82, C90, C94, C96) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제조 방법
8 8
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9 9
제4항에 있어서, 상기 용매는 1,2-dicloroethane(C2H4Cl2), 톨루엔, 아세톤, 클로로포름, 에틸렌글리콜, 이소프로페놀 및 크실렌 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제조 방법
10 10
제4항에 있어서, 상기 혼합 용액을 제조하는 단계는,상기 플러렌으로서 C60을 용매인 톨루엔에 섞어 C60+톨루엔 용액을 합성하는 단계;상기 절연성 고분자로서 PVP를 용매인 이소프로페놀에 섞어 PVP+이소프로페놀 용액을 합성하는 단계; 및합성된 PVP+이소프로페놀 용액과 C60+톨루엔 용액을 서로 섞는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제조 방법
11 11
제4항에 있어서, 상기 스핀 코팅하는 단계는,제1 회전수(rpm)에서 제1 시간동안 1차 스핀 코팅을 하는 단계; 및상기 1차 스핀 코팅을 하는 단계와 연속적으로 회전수를 증가시켜 상기 제1 rpm보다 큰 제2 rpm에서 상기 제1 시간보다 긴 제2 시간동안 2차 스핀 코팅을 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 소자 제조 방법
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1 한국과학재단 과학기술부, 한국과학재단 국가지정연구실 사업 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구