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디스플레이 패널의 구동방법

  • 기술번호 : KST2014043622
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전하트랩소자와 유기전계 발광다이오드를 가지는 디스플레이 패널의 구동방법이 개시된다. 전하트랩소자는 나노크리스탈층을 가진다. 나노크리스탈층은 결정화되고, 분산된 나노크리스탈과 이를 매립하는 배리어층으로 형성된다. 프로그램 전압이 인가되면, 나노크리스탈은 전하를 트랩하고, 읽기 전압의 인가에 따라 유기전계 발광다이오드는 소정의 휘도로 발광한다. 계조의 표현을 위해 공급되는 데이터 신호는 패널의 모든 화소에 순차적으로 공급된다. 패널의 화소는 읽기 전압이 공급되는 동시 발광되는 메커니즘을 가진다.
Int. CL G09G 3/30 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080038071 (2008.04.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0926687-0000 (2009.11.06)
공개번호/일자 10-2008-0095799 (2008.10.29) 문서열기
공고번호/일자 (20091117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070039844   |   2007.04.24
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.24)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이곤섭 대한민국 서울 강남구
3 이수환 대한민국 서울 도봉구
4 신동원 대한민국 서울 양천구
5 김달호 대한민국 서울 서초구
6 서성호 대한민국 서울 중랑구
7 남우식 대한민국 경기 화성
8 승현민 대한민국 서울 송파구
9 이종대 대한민국 경기 의정부시 신

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0292836-46
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction
2008.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0055684-48
3 보정요구서
Request for Amendment
2008.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0055682-57
4 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2008.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0296133-51
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0503758-77
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2009-0012155-61
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0265701-40
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.08.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0502617-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0502608-04
11 등록결정서
Decision to grant
2009.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0448562-82
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화소들에 순차적으로 프로그램 전압 또는 소거 전압에 상응하는 데이터 신호를 인가하여 각각의 화소들을 프로그램 상태 또는 소거 상태로 설정하는 단계; 및 상기 프로그램 상태 또는 소거 상태에 진입된 모든 화소들에 읽기 전압에 상응하는 데이터 신호를 공급하여 상기 화소들을 동시 발광시키는 단계를 포함하는 디스플레이 패널의 구동방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 각각의 화소들을 프로그램 상태 또는 소거 상태로 설정하는 단계는, 해당하는 주사 라인에 주사 신호를 공급하여 해당하는 주사 라인에 연결된 화소들을 선택하는 단계; 및 상기 선택된 화소들에 프로그램 전압 또는 소거 전압에 상응하는 데이터 신호들을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 화소는, 상기 프로그램 상태에서 전하를 트랩하고, 상기 소거 상태에서 전하가 제거되는 전하트랩소자; 및 상기 전하트랩소자에 연결된 유기전계 발광다이오드를 포함하고, 상기 읽기 전압의 공급에 따라 소정의 휘도로 발광동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 전하트랩소자는 나노크리스탈층을 가지고, 인가되는 상기 프로그램 전압 또는 소거 전압에 따라 나노크리스탈층에 트랩되는 전하량이 제어되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 전하트랩소자는 프로그램 전압이 높을수록 저항이 증가하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 프로그램 전압은 상기 읽기 전압보다 높은 레벨로 설정되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 소거 전압은 상기 프로그램 전압보다 높은 레벨로 설정되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
8 8
제2항에 있어서, 상기 주사 신호가 공급되는 주사 라인 이외의 주사 라인들은 플로팅되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 소거 전압은 상기 프로그램 전압보다 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
10 10
다수의 주사 라인들 및 다수의 데이터 라인들이 교차하는 영역에 형성된 화소들을 가지는 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서, 특정의 주사 라인을 선택하고, 상기 선택된 주사 라인에 연결된 화소들에 프로그램 전압에 상응하는 데이터 신호를 인가하여 상기 화소들의 전하트랩소자를 프로그램 상태로 설정하는 단계; 및 상기 디스플레이 패널의 모든 화소들에 대해 프로그램 동작을 완료한 후, 상기 모든 화소들을 선택하고, 읽기 전압에 상응하는 데이터 신호를 인가하여 상기 모든 화소들의 유기전계 발광다이오드를 동시 발광시키는 단계를 포함하고, 상기 전하트랩소자는 전하를 트랩하는 나노크리스탈층을 가지고, 상기 유기전계 발광다이오드는 상기 전하트랩소자의 상부 또는 하부에 구비되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 프로그램 전압은 전압의 증가에 따라 전류가 감소하는 부저항 영역에서 설정되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 프로그램 상태로 설정된 화소는 발광 동작이 수행되기 이전에 플로팅되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 화소의 플로팅은 해당하는 화소에 연결된 주사 라인에 전압을 공급하지 않는 것에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 유기전계 발광다이오드를 동시 발광시키는 단계 이후에, 상기 패널의 모든 화소에 소거 전압에 상응하는 데이터 신호를 인가하여 상기 패널의 모든 화소를 소거 상태로 진입시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 소거 상태는 상기 전하트랩소자에 트랩된 전하가 제거된 상태인 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
16 16
전하트랩소자와 유기전계 발광다이오드를 화소로 가지는 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서, 상기 화소에 프로그램 전압을 인가하여 상기 전하트랩소자의 저항을 제어하는 단계; 상기 저항이 조절된 전하트랩소자를 가지는 상기 화소에 읽기 전압을 인가하여 상기 유기전계 발광다이오드를 발광시키는 단계; 및 상기 화소에 상기 프로그램 전압보다 높은 소거 전압을 인가하여 상기 전하트랩소자에 트랩된 전하를 소거시키는 단계를 포함하는 디스플레이 패널의 구동방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 읽기 전압은 상기 프로그램 전압보다 낮게 설정되고, 상기 유기전계 발광다이오드는 조절된 저항에 상응하는 구동전류에 따라 발광되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
18 18
제16항에 있어서, 상기 저항은 상기 프로그램 전압이 상승할수록 증가하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
19 19
전하트랩소자와 유기전계 발광다이오드를 화소로 가지는 디스플레이 패널의 구동방법에 있어서, 상기 화소에 프로그램 전압 또는 소거 전압을 인가하여 상기 전하트랩소자의 저항을 제어하는 단계; 및 상기 저항이 조절된 전하트랩소자를 가지는 상기 화소에 읽기 전압을 인가하여 상기 유기전계 발광다이오드를 발광시키는 단계를 포함하고, 상기 소거 전압은 상기 프로그램 전압보다 높으며, 상기 프로그램 전압은 상기 읽기 전압보다 높은 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 프로그램 전압이 상승하는 경우, 상기 저항은 증가하며, 상기 소거 전압이 인가되는 경우, 상기 저항은 최대값을 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널의 구동방법
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1 EP02147573 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02147573 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05247797 JP 일본 FAMILY
4 JP22525543 JP 일본 FAMILY
5 KR100921506 KR 대한민국 FAMILY
6 KR100994677 KR 대한민국 FAMILY
7 TW200903425 TW 대만 FAMILY
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9 TW200906217 TW 대만 FAMILY
10 TWI406226 TW 대만 FAMILY
11 TWI449461 TW 대만 FAMILY
12 TWI472262 TW 대만 FAMILY
13 US08315080 US 미국 FAMILY
14 US08441472 US 미국 FAMILY
15 US20100208507 US 미국 FAMILY
16 US20110205217 US 미국 FAMILY
17 WO2008130194 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
18 WO2008130195 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
19 WO2008130207 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 EP2147573 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2147573 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2147573 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2010525543 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2010525543 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2010525543 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP5247797 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 KR100921506 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
9 KR100994677 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
10 KR20080095777 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
11 KR20080095778 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
12 TW200903425 TW 대만 DOCDBFAMILY
13 TW200904235 TW 대만 DOCDBFAMILY
14 TW200906217 TW 대만 DOCDBFAMILY
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17 TWI472262 TW 대만 DOCDBFAMILY
18 US2010208507 US 미국 DOCDBFAMILY
19 US2011205217 US 미국 DOCDBFAMILY
20 US8315080 US 미국 DOCDBFAMILY
21 US8441472 US 미국 DOCDBFAMILY
22 WO2008130207 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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