맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저온 팽창 그래핀 제조방법

  • 기술번호 : KST2014035691
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화흑연을 250℃ 내지 350℃에서 열처리하여 팽창 그래핀(graphene)을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 팽창 그래핀 제조방법은 종래의 방법인 900℃ 이상의 높은 온도가 아닌 250℃ 내지 350℃의 상대적으로 낮은 온도에서 짧은 시간 동안 열처리하여 제조하는 저온 공정이기 때문에 경제성 및 활용성이 매우 높다.팽창 그래핀, 산화흑연, 흑연, 저온, 열처리
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020090108724 (2009.11.11)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1149625-0000 (2012.05.17)
공개번호/일자 10-2011-0051907 (2011.05.18) 문서열기
공고번호/일자 (20120525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.11)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이영희 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 정혜경 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 김매화 중국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권형중 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
2 김문재 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
3 이종승 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길** 에이동 ***호 (문정동, 현대지식산업센터)(리스비특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0693413-21
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0711476-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.29 수리 (Accepted) 9-1-2011-0055802-04
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0468901-84
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0798488-77
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0798489-12
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0169605-28
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0323732-41
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.04.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0323733-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0272063-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화흑연을 250℃ 내지 300℃에서 열처리하여 팽창 그래핀(graphene)을 제조하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 열처리 시간은 0
3 3
제1항에 있어서, 산화흑연은 흑연을 산화제로 산화시킴을 특징으로 하는, 팽창 그래핀을 제조하는 방법
4 4
제1항에 있어서, 산화흑연은 흑연을 산화제와 질산(HNO3), 브롬화수소(HBr), 브롬산(HBrO3), 과브롬산(HBrO4), 염산(HCl), 염소산(HClO3), 과염소산(HClO4), 하이드로늄(H3O), 요오드화수소(HI), 요오드산(HIO3), 과요오드산(HIO4), 플루오르안티몬산(HSbF6), 초강산(FSO3HSbF5), 플루오로술폰산(FSO3H), 트리플루오로메탄술폰산(CF3SO3H) 또는 황산(H2SO4)의 혼합물로 산화시킴을 특징으로 하는, 팽창 그래핀을 제조하는 방법
5 5
제3항 또는 제4항에 있어서,산화 시간은 1 시간 내지 24시간임을 특징으로 하는, 팽창 그래핀을 제조하는 방법
6 6
제3항 또는 제4항에 있어서, 산화제는 염소산나트륨(NaClO3), 염소산칼륨(KClO3), 과산화수소(H2O2), 과망간산칼륨(KMnO4) 및 중크로산칼륨(K2CrO7), 질산칼륨(KNO3), 산소(O2), 오존(O3), 플로린(F2), 염소(Cl2), 브롬(Br2), 요오드(I2), 질산(HNO3), 무수크롬산(CrO3), 크롬산(CrO4), 중크롬산(Cr2O7), 산화망간(MnO), 과산화망간(MnO4), 과산화수소(H2O2), 일산화질소(NO), 이산화질소(NO2), 아산화질소(N2O), 사산화오스뮴(OsO4), 설폭사이드(Sulfoxides), 질산암모늄세륨(Ammonium cerium nitrate), 및 과망간산염(Permanganate salts) 으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는, 팽창 그래핀을 제조하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 산소(O2), 이산화탄소(CO2), 일산화탄소 (CO), 질소(N2), 플로린(F), 클로린(Cl), 요오드(I2)및 수소(H2)로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상의 기체 분위기에서 열처리함을 특징으로 하는, 팽창 그래핀을 제조하는 방법
8 8
제1항에 있어서, 산화흑연의 산소양은 80 중량% 이하임을 특징으로 하는, 팽창 그래핀을 제조하는 방법
9 9
제1항에 있어서, 팽창 그래핀의 산소양은 15 중량% 이하임을 특징으로 하는, 팽창 그래핀을 제조하는 방법
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교산학협력단 중견연구자지원사업 Design of electronic structures of carbon nanotubes and their applications