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고효율 전도성 산화아연 박막의 제조방법과 이를 갖는 인버티드 구조의 유기태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014035768
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기적 특성 및 광학적 특성이 우수한 고효율 전도성 산화아연 박막의 제조방법과 이를 갖는 유기태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 산화아연 박막의 제조방법은, 챔버 내에 한 쌍의 산화아연 타겟을 대향하게 배치하고 한 쌍의 산화아연 타겟 사이에 성막 대상 기판을 배치하는 단계, 챔버를 진공으로 만드는 단계, 성막 대상 기판에 음극 바이어스 전압을 인가하는 단계, 각 산화아연 타겟의 배면에 설치된 전자석 유닛을 작동시켜 대향하게 배치된 한 쌍의 산화아연 타겟 사이를 연결하는 자기장을 형성하는 단계, 챔버에 스퍼터링 가스를 주입하고 전원을 인가하여 챔버 내에 플라즈마를 형성함으로써 각 산화아연 타겟을 스퍼터링하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 비대칭 마그네트론 스퍼터링 기술을 이용함으로써 도핑 공정 등의 별도의 공정이 필요없이 간단한 방법으로 저온에서 전기적 특성 및 광학적 특성이 우수한 고효율 전도성 산화아연 박막을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 51/42 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 51/0001(2013.01) H01L 51/0001(2013.01)
출원번호/일자 1020100106256 (2010.10.28)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1155119-0000 (2012.06.04)
공개번호/일자 10-2012-0018043 (2012.02.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100080857   |   2010.08.20
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용섭 대한민국 경기도 화성시 영통로번길 ,
2 김한기 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0702272-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091180-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0705751-70
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0082122-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0082116-05
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0314106-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 위에 산화아연(ZnO) 박막을 형성하는 산화아연 박막의 제조방법에 있어서,(a) 챔버 내에 한 쌍의 산화아연 타겟을 대향하게 배치하고, 상기 한 쌍의 산화아연 타겟 사이에 성막 대상 기판을 배치하는 단계;(b) 상기 챔버를 진공으로 만드는 단계;(c) 상기 성막 대상 기판에 음극 바이어스 전압을 인가하는 단계;(d) 상기 각 산화아연 타겟의 배면에 설치된 전자석 유닛을 작동시켜 대향하게 배치된 상기 한 쌍의 산화아연 타겟 사이를 연결하는 비대칭 자기장을 형성하는 단계; 및(e) 상기 챔버에 스퍼터링 가스를 주입하고, 직류펄스 전원을 인가하여 상기 챔버 내에 형성된 플라즈마를 통해 상기 각 산화아연 타켓을 스터퍼링하는 단계를 포함하며, 상기 성막 대상 기판은 상기 한 쌍의 산화아연 타겟을 연결하는 방향과 수직하게 배치되고, 상기 성막 대상 기판은 한 쌍의 산화아연 타겟 사이에서 편심되게 한 쌍의 산화아연 타켓 사이를 회전하는 것을 특징으로 하는 산화아연 박막의 제조방법
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기판;상기 기판 위에 적층되어 버퍼층으로 작용하는 산화아연(ZnO) 박막;상기 산화아연 박막 위에 적층되는 활성층; 및상기 활성층 위에 적층되는 금속 전극을 포함하며,상기 산화아연 박막은(a) 챔버 내에 한 쌍의 산화아연 타겟을 대향하게 배치하고, 상기 한 쌍의 산화아연 타겟 사이에 상기 기판을 배치하는 단계;(b) 상기 챔버를 진공으로 만드는 단계;(c) 상기 기판에 음극 바이어스 전압을 인가하는 단계;(d) 상기 각 산화아연 타겟의 배면에 설치된 전자석 유닛을 작동시켜 대향하게 배치된 상기 한 쌍의 산화아연 타겟 사이를 연결하는 비대칭 자기장을 형성하는 단계; 및(e) 상기 챔버에 스퍼터링 가스를 주입하고, 직류펄스 전원을 인가하여 상기 챔버 내에 형성된 플라즈마를 통해 상기 각 산화아연 타켓을 스터퍼링하는 단계를 통해 제조되며,상기 기판은 상기 한 쌍의 산화아연 타겟을 연결하는 방향과 수직하게 배치되고, 상기 기판은 한 쌍의 산화아연 타겟 사이에서 편심되게 한 쌍의 산화아연 타켓 사이를 회전하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 산화아연 박막의 두께는 40nm인 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 금속 전극은 금(Au)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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유기태양전지의 제조방법에 있어서,(a) 기판 위에 투명 전극을 적층하는 단계;(b) 스퍼터 챔버 내 플라즈마 형성을 위해 직류펄스 전원을 사용하는 비대칭 마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 상기 투명 전극 위에 산화아연(ZnO) 박막을 증착하는 단계;(c) 상기 산화아연 박막 위에 활성층을 적층하는 단계; 및(d) 상기 활성층 위에 금속 전극을 적층하는 단계를 포함하며,상기 산화아연 박막을 증착하는 단계는(b1) 상기 스퍼터 챔버 내에 한 쌍의 산화아연 타겟을 대향하게 배치하고, 상기 한 쌍의 산화아연 타겟 사이에 상기 기판을 배치하는 단계;(b2) 상기 스퍼터 챔버를 진공으로 만드는 단계;(b3) 상기 기판에 음극 바이어스 전압을 인가하는 단계;(b4) 상기 각 산화아연 타겟의 배면에 설치된 전자석 유닛을 작동시켜 대향하게 배치된 상기 한 쌍의 산화아연 타겟 사이를 연결하는 비대칭 자기장을 형성하는 단계; 및(b5) 상기 스퍼터 챔버에 스퍼터링 가스를 주입하고, 직류펄스 전원을 인가하여 상기 챔버 내에 형성된 플라즈마를 통해 상기 각 산화아연 타켓을 스터퍼링하는 단계를 구비하며,상기 기판은 상기 한 쌍의 산화아연 타겟을 연결하는 방향과 수직하게 배치되고, 상기 판은 한 쌍의 산화아연 타겟 사이에서 편심되게 한 쌍의 산화아연 타켓 사이를 회전하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
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제 8 항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 산화아연 박막을 40nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 (d) 단계는 금(Au)을 상기 활성층 위에 열증착(Thermal evaporation)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지의 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.