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폴리메틸메타크릴레이트 유도체 박막을 게이트 절연층 및 유기 보호층으로 이용하는 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014036427
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트 절연층과 유기 보호층 고분자 박막을 포함하는 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 폴리메타크릴산(폴리메틸메타크릴레이트 유도체) 박막을 포함하는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 채널층, 상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 일부 드러난 채널층 상에 형성된 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 유기 보호층을 포함하는 트랜지스터에 관한 것이다. 또한, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 폴리메타크릴산 박막의 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층 상에 채널층을 형성하는 단계, 상기 채널층 상에 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 일부 드러난 채널층 상에 폴리메타크릴산 박막의 유기 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다. 스퍼터링, 고분자 박막, 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA), 폴리메타크릴산, 게이트 절연층, 유기 보호층, 트랜지스터
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090111596 (2009.11.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1087506-0000 (2011.11.22)
공개번호/일자 10-2011-0054811 (2011.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20111129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.18)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울시 동작구
2 김동훈 대한민국 인천광역시 서구
3 최승훈 대한민국 서울시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0708658-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042047-34
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0286054-03
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0426935-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0426932-79
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0664087-65
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 형성되는 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 채널층, 상기 채널층 상에, 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극, 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 일부 드러난 채널층 상에 형성된 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 유기 보호층을 포함하고, 상기 게이트 절연층과 유기 보호층은, 폴리메틸메타크릴레이트의 곁가지가 카르복실산(-COOH)기로 변형되어 만들어진 친수성이 큰 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연층과 유기 보호층은, 접촉각이 45°이하인 친수성이 큰 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연층과 유기 보호층은, 20 nm보다 큰 기공이 존재하지 않는 고밀도 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연층과 유기 보호층은, 수분에 의해 팽윤되어 형성된 하이드로겔 형태인 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연층과 유기 보호층의 두께는 100 - 1200 nm인 것을 특징으로 하는 트랜지스터
7 7
제1항에 있어서, 상기 게이트 절연층과 유기 보호층은, 스퍼터링 법으로 증착되어 핀 홀이 없고, 카르복실산(-COOH)기가 서로 수소결합하여 형성된 고밀도 폴리메타크릴산 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터
8 8
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 및 기판 상에 폴리메타크릴산 박막의 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층 상에 채널층을 형성하는 단계, 상기 채널층 상에 상기 채널층을 적어도 일부 드러내도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 일부 드러난 채널층 상에 폴리메타크릴산 박막의 유기 보호층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계와 유기 보호층을 형성하는 단계는, 스퍼터링 법에 의하여 박막을 형성하는 것이고, 상기 스퍼터링은 별도의 가열 없는 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계와 유기 보호층을 형성하는 단계는, 접촉각이 45°이하로 친수성이 큰 폴리메타크릴산 박막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계와 유기 보호층을 형성하는 단계는, 폴리메틸메타크릴레이트의 곁가지를 친수성인 카르복실산(-COOH)기로 변형시켜 만든 폴리메타크릴산 박막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계와 유기 보호층을 형성하는 단계는, 20 nm보다 큰 기공이 존재하지 않는 기공이 없는 고밀도 폴리메타크릴산 박막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계와 유기 보호층을 형성하는 단계는, 수분에 의해 팽윤시킨 하이드로겔 형태의 폴리메타크릴산 박막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 게이트 절연층과 유기 보호층의 두께는 100 - 1200 nm인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
14 14
제8항에 있어서, 상기 게이트 절연층을 형성하는 단계와 유기 보호층을 형성하는 단계는, 합성된 폴리메타크릴산의 곁가지인 카르복실산(-COOH)기가 서로 수소 결합하여 고밀도의 폴리메타크릴산 박막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
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삭제
16 16
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08384082 US 미국 FAMILY
2 US20110114953 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011114953 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8384082 US 미국 DOCDBFAMILY
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