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은이 도핑된 산화아연 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014036455
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 채널층을 형성하는 단계는, 은이 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 타겟 물질을 박막으로 증착하여 상기 채널층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키기 위하여, 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터는, 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터, TFT, 산화물 반도체, 산화아연, 은 도핑
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090113347 (2009.11.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1088367-0000 (2011.11.24)
공개번호/일자 10-2011-0056858 (2011.05.31) 문서열기
공고번호/일자 (20111201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이득희 대한민국 대구광역시 달성군 옥포면
2 조경철 대한민국 울산광역시 중구
3 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 지프코리아 주식회사 경기도 화성시 병점중앙로***번
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0718135-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0026138-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0162482-56
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0381268-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0381266-80
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0682008-91
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 접촉하는 절연막을 형성하는 단계; 은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 형성하는 단계; 산소를 포함하는 기체 분위기에서 상기 채널층을 가열함으로써 상기 채널층 내의 산소 공공을 감소시키는 단계; 및 상기 채널층과 접촉하며, 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 채널층을 형성하는 단계는, 은이 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 타겟 물질을 박막으로 증착하여 상기 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 기체 분위기는 비활성 기체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
은이 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 채널층을 포함하되, 상기 채널층은 산소를 포함하는 기체 분위기에서 열처리되어 105/cm3 내지 1018/cm3 의 캐리어 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
삭제
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.