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기판 표면을 식각하여 미세 요철 구조를 형성하는 단계;상기 미세 요철 구조가 형성된 기판 상에 금속 촉매를 형성하되, 상기 금속 촉매 사이에 상기 미세 요철 구조를 노출시키는 단계; 및상기 기판 상에 반응가스를 노출시켜 기상-액상-고상(VLS)법을 이용하여 나노콘을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반응가스는 상기 금속 촉매와 반응하여 나노구조체를 형성하고, 상기 반응가스는 상기 노출된 미세 요철 구조를 따라 흐르면서 상기 나노구조체의 수평성장을 유도하여 상기 나노콘 구조를 형성하는 것인, 나노구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 실리콘 카바이드 기판, 석영 기판, 13-15족 화합물 반도체 기판, 12-16족 화합물 반도체 기판 및 사파이어 기판 중에서 선택되는 것인 나노구조체 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 미세 요철 구조를 형성하는 단계는 산 용액을 이용한 습식 식각, 플라즈마를 이용한 건식 식각 또는 나노인덴터를 이용한 식각에 의해 수행하는 것인 나노구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 촉매는 금, 은, 알루미늄, 구리, 니켈, 팔라듐, 백금, 루테늄, 코발트, 갈륨 및 이들의 2 이상의 합금 중에서 선택되는 나노구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노콘은 12족 원소, 13족 원소, 14족 원소, 15족 원소, 16족 원소 및 이들 중 서로 다른 족에 속하는 2 이상의 원소들의 합금 중에서 선택되는 물질을 포함하는 나노구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판 표면을 식각하기 전에, 상기 기판 표면의 일부 영역에 식각을 방지하는 보호층을 형성하는 단계; 및상기 보호층이 형성되지 않은 기판 표면을 식각하여 미세 요철 구조를 형성한 후, 상기 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는 나노구조체 제조방법
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제6항에 있어서,상기 보호층은 고분자막인 나노구조체 제조방법
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제6항에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계는 포토리소그래피법, 전자빔 리소그래피법 또는 나노임프린트 리소그래피법에 의해 수행하는 것인 나노구조체 제조방법
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p형 반도체층과 n형 반도체층이 접합된 p-n 접합 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 반도체층 및 상기 n형 반도체층 중 적어도 어느 한 층의 표면을 식각하여 미세 요철 구조를 형성하는 단계;상기 미세 요철 구조가 형성된 반도체층 상에 금속 촉매를 형성하되, 상기 금속 촉매 사이에 상기 미세 요철 구조를 노출시키는 단계; 및상기 반도체층 상에 반응가스를 노출시켜 기상-액상-고상(VLS)법을 이용하여 나노콘을 형성하는 단계를 포함하되,상기 반응가스는 상기 금속 촉매와 반응하여 나노구조체를 형성하고, 상기 반응가스는 상기 노출된 미세 요철 구조를 따라 흐르면서 상기 나노구조체의 수평성장을 유도하여 상기 나노콘 구조를 형성하는 것인, 전자 소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 전자소자는 태양전지 또는 발광다이오드인 전자 소자 제조방법
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