요약 | 나노와이어들을 정공전달층 또는 전자전달층으로 이용하고, 나노입자들을 광발전층으로 이용하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 하부 전극 상에 형성된 제1 나노입자 층은 전자전달층으로 활용되고, 나노입자층 상부에 형성되는 제2 나노입자 층은 정공전달층으로 활용된다. 광발전층인 나노입자층에 입사되는 태양광에 의해 발생된 전자 및 정공은 각각 전자전들층과 정공전달층으로 전달되고, 최종적으로 하부 전극 및 상부 전극에 전하의 축적동작을 일으킨다. 태양전지, 나노와이어, 나노입자, 하이브리드 타입 |
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Int. CL | H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/075 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01) |
CPC | H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090049700 (2009.06.05) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1012565-0000 (2011.01.26) |
공개번호/일자 | 10-2010-0131033 (2010.12.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20110207) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.06.05) |
심사청구항수 | 11 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김태환 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
2 | 김원태 | 대한민국 | 충청남도 서산시 |
3 | 이세한 | 대한민국 | 서울특별시 중랑구 |
4 | 손동익 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
5 | 정재훈 | 대한민국 | 서울특별시 광진구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.06.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0340350-64 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.12.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0075571-75 |
4 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0039209-56 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 정공을 하부 전극에 전달하기 위한 제1 나노와이어 층; 상기 제1 나노와이어 층 상에 형성되고, 태양광의 입사에 의해 전자-정공 쌍을 형성하기 위한 나노입자층; 및 상기 나노입자층 상에 형성되고, 상기 나노입자층에서 형성된 정공을 상부 전극에 전달하기 위한 제2 나노와이어 층을 포함하는 태양전지 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 제1 나노와이어 층은 n형의 전도성을 가지고, n-Si, n-Ge, n-SiC, n-CdS, n-CdSe, n-CdTe, ZnS, ZnSe, n- PbTe, n-AlAs, n-AlSb, n-GaAs, n-GaSb, n-GaP, n-InP, n-InSb, n-InAs, ZnO, GaN, GaAs, InP, CdS, CdSe, CdTe, ZnSe, ZnS, ZnTe, CdZnTe, SnO2, TiO2, 금이 도핑된 silica 또는 silica를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 나노입자층은 반도체 나노입자, 산화물 나노입자 또는 코어/셀 구조의 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
4 |
4 제3항에 있어서, 상기 반도체 나노입자는 Si, CdSe, ZnTe, ZnS, InP, ZnSe, GaAs, InGaAs, PbTe 또는 PbS인 것을 특징으로 하는 태양전지 |
5 |
5 제3항에 있어서, 상기 산화물 나노입자는 Al2O3, BaCO3, Bi2O3, B2O3, CaCO3, CeO2, Cr2O3, CuO, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, Li2CO3, LiCoO2, MgO, MnCO3, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, SrCO3, Ta2O5, TiO2, BaTiO3, V2O5, WO3, ZrO2, PbTiO3, PbxZr1-xTiO3(0003c#x003c#1) 또는 ZrTiO3인 것을 특징으로 하는 태양전지 |
6 |
6 제3항에 있어서, 상기 코어/셀 나노입자는 CdSe(코어)/ZnTe(셀)(이하, 동일양식임), CdSe/ZnS, InP/ZnSe, InP/ZnS, InP/ZnTe, CdSe/ZnSe, InP/GaAs, InGaAs/GaAs 또는 PbTe/PbS인 것을 특징으로 하는 태양전지 |
7 |
7 제1항에 있어서, 상기 제2 나노와이어 층은 p형의 전도성을 가지고, p-Si, p-Ge, p-SiC, p-CdS, p-CdSe, p-CdTe, ZnS, ZnSe, p- PbTe, p-AlAs, p-AlSb, p-GaAs, p-GaSb, p-GaP, p-InP, p-InSb, p-InAs, Cu2O 또는 CuSCN를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
8 |
8 제1항에 있어서, 상기 태양전지는 상기 제1 나노와이어 층 사이의 이격공간을 매립하고, 상기 제1 나노와이어 층의 상부를 노출시키는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
9 |
9 제8항에 있어서, 상기 버퍼층은 절연성 고분자이며, PMMA(Polymethyl methacrylate), PVP(Polyvinylpyrrolidone), PS(Polystyrene) 또는 PI(Polyimide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
10 |
10 제8항에 있어서, 상기 나노입자층은 상기 버퍼층에 의해 노출된 상기 제1 나노와이어 층의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
11 |
11 하부 전극이 형성된 기판 상에 n형의 제1 나노와이어 층을 형성하는 단계; 상기 제1 나노와이어 층 사이의 이격공간에 상기 제1 나노와이어 층의 상부영역을 노출시키는 버퍼층을 형성하는 단계; 노출된 상기 제1 나노와이어 층의 상부영역 상에 나노입자층을 형성하는 단계; 상기 나노입자층 상에 p형의 제2 나노와이어 층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 나노와이어 층 상부에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 과학기술부 | 과학기술부(한국과학재단) | 기초과학연구사업(우수연구리더육성) | 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구 |
특허 등록번호 | 10-1012565-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20090605 출원 번호 : 1020090049700 공고 연월일 : 20110207 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110120 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 나노 와이어 및 나노입자를 가지는 태양전지 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180127 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 237,000 원 | 2011년 01월 26일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 282,000 원 | 2013년 12월 30일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 197,400 원 | 2014년 12월 03일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 197,400 원 | 2015년 12월 30일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 362,600 원 | 2017년 01월 02일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.06.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0340350-64 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2010.12.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0075571-75 |
4 | 등록결정서 | 2011.01.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0039209-56 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술번호 | KST2014041918 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한양대학교 |
기술명 | 나노 와이어 및 나노입자를 가지는 태양전지 및 이의 제조방법 |
기술개요 |
나노와이어들을 정공전달층 또는 전자전달층으로 이용하고, 나노입자들을 광발전층으로 이용하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 하부 전극 상에 형성된 제1 나노입자 층은 전자전달층으로 활용되고, 나노입자층 상부에 형성되는 제2 나노입자 층은 정공전달층으로 활용된다. 광발전층인 나노입자층에 입사되는 태양광에 의해 발생된 전자 및 정공은 각각 전자전들층과 정공전달층으로 전달되고, 최종적으로 하부 전극 및 상부 전극에 전하의 축적동작을 일으킨다. 태양전지, 나노와이어, 나노입자, 하이브리드 타입 |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 태양전지 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345147851 |
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세부과제번호 | 2007-0056638 |
연구과제명 | 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345099944 |
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세부과제번호 | 2007-0056638 |
연구과제명 | 복합형나노양자구조를이용한차세대비휘발성메모리소자및발광소자를위한나노물리,나노소재및소자에대한연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
[1020120050711] | 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
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