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비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2014043287
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치 및 방법이 개시된다. 시스템의 전원 차단 시 비휘발성 메모리의 데이터를 보호하는 장치에 있어서, 입출력 라인의 전압 강하 시간을 지연 시키기 위한 신호 지연부, 시스템의 전원 차단을 감지하는 전원 차단 감지부 및 상기 시스템의 전원 차단 여부에 대응하여 상기 신호 지연부를 제어하는 제어부를 포함한다. 시스템 셧 다운, 비휘발성 메모리, 신호 지연, 디지털 신호 감지, 지연회로
Int. CL G11C 16/30 (2006.01.01) G11C 16/32 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080075519 (2008.08.01)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0963775-0000 (2010.06.07)
공개번호/일자 10-2010-0013819 (2010.02.10) 문서열기
공고번호/일자 (20100614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020100038670;
심사청구여부/일자 Y (2008.08.01)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원유집 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0556451-97
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0558987-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0042946-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0350682-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0631982-46
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0631980-55
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0079439-32
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.04.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0017793-97
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2010.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0269784-89
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0229794-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입출력 라인의 전압 강하 시점을 지연 시키기 위한 신호 지연부; 시스템의 전원 차단을 감지하는 전원 차단 감지부; 및 상기 시스템의 전원 차단 여부에 대응하여 상기 신호 지연부를 제어하는 제어부 를 포함하고, 상기 신호 지연부는, 상기 시스템의 전원 차단이 발생하면, 비휘발성 메모리에 데이터 기록을 수행하는 신호와 관련된 상기 입출력 라인의 전압 강하 시점을 비휘발성 메모리에 제공되는 전압이 상기 비휘발성 메모리의 동작 가능 전압 이하로 변경되는 시점 이후로 지연시키기 위한 지연회로, 버퍼, 및 커패시터 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 입출력 라인은, 메인보드와 비휘발성 메모리를 연결하는 명령어 라인, 주소 라인, 및 데이터 라인 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 전원 차단 감지부는, 전원 차단 시 발생하는 디지털 신호를 이용하여 전원의 차단을 감지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치
5 5
제4항에 있어서, 상기 디지털 신호는, CKE(Clock Enable) 및 power down exit mode 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 시스템의 전원이 차단되는 경우, 상기 신호 지연부를 동작시키고, 상기 시스템의 전원이 차단되지 않는 경우, 상기 신호 지연부가 동작하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치
7 7
시스템의 전원 차단을 감지하는 단계; 및 상기 시스템의 전원 차단이 발생하면, 비휘발성 메모리에 데이터 기록을 수행하는 신호와 관련된 입출력 라인의 전압 강하 시점을 상기 비휘발성 메모리에 제공되는 전압이 상기 비휘발성 메모리의 동작 가능 전압 이하로 변경되는 시점 이후로 지연하는 단계 를 포함하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법
8 8
제7항에 있어서, 시스템의 전원 차단을 감지하는 단계는, 전원 차단 시 발생하는 디지털 신호를 이용하여 전원의 차단을 감지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 디지털 신호는, CKE(Clock Enable) 및 power down exit mode 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 입출력 라인은, 메인보드와 비휘발성 메모리를 연결하는 명령어 라인, 주소 라인, 및 데이터 라인 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 전압 강하 시간을 지연하는 단계는, 지연회로, 버퍼, 및 커패시터 중 적어도 하나를 이용하여, 상기 시스템의 전원이 차단되는 경우, 상기 전압 강하 시간을 기 설정된 시간지연하고, 상기 시스템의 전원이 차단되지 않는 경우, 상기 전압 강하 시간을 지연하지 않는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법
12 12
삭제
13 13
제7항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록되어 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터에서 판독 가능한 기록 매체
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020100059762 KR 대한민국 FAMILY
2 US08446795 US 미국 FAMILY
3 US08811106 US 미국 FAMILY
4 US20110141839 US 미국 FAMILY
5 US20130235690 US 미국 FAMILY
6 WO2010013979 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011141839 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2013235690 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8446795 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2010013979 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한양대학교 산학협력단 국가지정연구실 대용량 비휘발성 나노저장소자를 위한 메모리스토리지 융합 운영체제 기술