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기준 전압과 발진신호에 따라 양의 직류신호들 및 음의 직류신호를 형성하기 위한 DC-DC 변환기;
상기 DC-DC 변환기에 연결되고, 상기 양의 직류신호들 및 음의 직류신호 중 어느 하나를 선택하여 셀 트랜지스터를 제어하는 워드라인신호로 출력하기 위한 셀 게이트 스위치; 및
p-웰 제어신호에 따라 상기 양의 직류신호들 중 특정의 신호를 수신하고 선택하여 상기 셀 트랜지스터 하부의 p-웰에 공급되는 p-웰 신호를 생성하기 위한 p-웰 스위치를 포함하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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제1항에 있어서, 상기 DC-DC 변환기는,
상기 기준 전압과 상기 발진신호를 수신하고, 셀 트랜지스터의 패스전압 레벨을 가지는 제1 직류신호 및 상기 제1 직류신호에 비해 트랜지스터의 문턱전압 이상의 큰 값을 가지는 제2 직류신호를 생성하기 위한 제1 레귤레이터;
상기 기준 전압과 상기 발진신호를 수신하고, 셀 트랜지스터의 공핍 영역 주변에 형성된 전하를 전하 저장층으로 터널링시키는 제어 게이트 전압 레벨을 가지는 제3 직류신호 및 상기 제3 직류신호에 비해 트랜지스터의 문턱전압 이상의 큰 값을 가지는 제4 직류신호를 생성하기 위한 제2 레귤레이터; 및
상기 기준 전압과 상기 발진신호를 수신하고, 상기 전하 저장층에 저장된 전하를 채널 영역으로 이동시키는 제어 게이트 전압 레벨을 가지는 음의 직류신호를 생성하기 위한 제3 레귤레이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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제2항에 있어서, 상기 셀 게이트 스위치는 상기 제1 직류신호 또는 상기 제3 직류신호를 선택하기 위한 고전압 선택기;
상기 고전압 선택기의 출력을 수신하고, 수신된 고전압 선택기 또는 접지 레벨을 결정하기 위한 고전압 스위치;
상기 음의 직류신호를 수신하고, 수신된 상기 음의 직류신호 또는 접지 레벨을 결정하기 위한 음의 고전압 스위치; 및
디코더 제어신호에 따라 상기 고전압 스위치의 출력 및 상기 음의 고전압 스위치의 출력 중 어느 하나를 선택하여 상기 워드라인신호로 결정하기 위한 디코더를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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제3항에 있어서, 상기 고전압 선택기는,
상기 제1 직류신호를 수신하고, 제1 전압제어신호의 제어에 따라 상기 제1 직류신호 또는 접지레벨을 선택하기 위한 제1 고전압 스위치;
상기 제2 직류신호를 수신하고, 상기 제1 전압제어신호의 제어에 따라 상기 제2 직류신호 또는 접지레벨을 선택하기 위한 제2 고전압 스위치;
상기 제3 직류신호를 수신하고, 상기 제1 전압제어신호와 상보적인 동작을 수행하는 제2 전압제어신호의 제어에 따라 상기 제3 직류신호 또는 접지레벨을 선택하기 위한 제3 고전압 스위치;
상기 제4 직류신호를 수신하고, 상기 제2 전압제어신호의 제어에 따라 상기 제4 직류신호 또는 접지레벨을 선택하기 위한 제4 고전압 스위치;
상기 제2 고전압 스위치의 출력신호에 따라 온/오프 동작을 수행하여 상기 제1 고전압 스위치에서 선택된 상기 제1 직류신호를 전달하기 위한 제1 스위칭 트랜지스터; 및
상기 제4 고전압 스위치의 출력신호에 따라 온/오프 동작을 수행하여 상기 제3 고전압 스위치에서 선택된 상기 제3 직류신호를 전달하기 위한 제2 스위칭 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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제4항에 있어서, 상기 제1 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 스위칭 트랜지스터는 상호 상보적으로 온/오프 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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6
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 고전압 스위치 또는 상기 제1 내지 제4 고전압 스위치는,
제어신호에 따라 선택적으로 직류신호 또는 접지레벨을 설정하기 위한 선택 제어부; 및
상기 선택 제어부의 직류신호 또는 접지레벨을 수신하고, 상기 직류신호 또는 접지레벨을 선택하기 위한 전압 선택부를 포함하고, 상기 선택 제어부의 출력은 상기 전압 선택부의 출력과 상보적인 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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7
제3항에 있어서, 상기 음의 고전압 스위치는,
음의 전압제어신호에 따른 스위칭 동작을 통해 양의 전원전압을 출력하기 위한 제어경로 형성부;
상기 음의 직류신호를 수신하고 스위칭 동작을 통해 상기 음의 직류신호를 출력하기 위한 경로 선택부; 및
상기 양의 전원 전압과 상기 음의 직류신호의 제어에 따라 상기 음의 직류신호 또는 접지레벨을 출력하기 위한 출력부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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8
제2항에 있어서, 상기 p-웰 스위치는,
p-웰 제어신호에 따라 상기 제3 직류신호를 선택적으로 출력하기 위한 제어신호 생성부;
상기 p-웰 제어신호 및 상기 제3 직류신호의 제어에 따른 스위칭 동작을 통해 상기 제3 직류신호를 선택적으로 생성하기 위한 출력신호 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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9
제8항에 있어서, 상기 p-웰 스위치는, 상기 출력신호 생성부의 출력단에 연결되고, 접지 레벨로 출력단을 강제시키는 전류 싱크부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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10
제9항에 있어서, 상기 전류 싱크부는 상기 출력신호 생성부가 접지 레벨을 출력하고자 할 경우, 활성화되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 바이어스 회로
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