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광 간섭을 이용한 미세 패턴 형성방법 및 이를 이용한 전자소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2014043394
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 핫 엠보싱 기술을 사용하여 광 간섭 리소그래피 수행 시, 주기적으로 형성되는 광 결정 패턴 이외에 광 결정 패턴 사이에 선 결함 역할을 수행하는 라인 패턴을 동시에 형성할 수 있으므로, 제조 비용 및 생산 소요 시간을 절감할 수 있는 광 간섭을 이용한 미세 패턴 형성방법 및 이를 이용한 전자소자 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 간섭을 이용한 미세 패턴 형성방법은 기판 상에 포토레지스트(PR)를 형성하는 단계와, 포토레지스트에 요철을 형성하고 요철에 광 결정 패턴 및 광 결정 패턴 사이에 라인(line) 패턴을 전사하는 단계와, 포토레지스트에 광 간섭 리소그래피를 실행하여 포토레지스트에 전사된 광 결정 패턴 및 라인 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/70408(2013.01) G03F 7/70408(2013.01) G03F 7/70408(2013.01) G03F 7/70408(2013.01)
출원번호/일자 1020100006874 (2010.01.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1121168-0000 (2012.02.21)
공개번호/일자 10-2011-0087451 (2011.08.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최병연 대한민국 광주광역시 북구
2 정건영 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0052601-10
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0016435-38
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0326467-73
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0631219-97
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0631240-46
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0702127-85
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-1052759-83
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-1052745-44
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0084713-35
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 포토레지스트(PR)를 형성하는 단계와;(b) 상기 포토레지스트에 간섭 레이저광을 조사시 측부 아래에 상쇄간섭이 일어나는 두께를 가진 요철을 형성하는 단계와;(c) 상기 요철이 형성된 상기 포토레지스트에 간섭 레이저광을 1차적으로 조사한 후, 상기 기판을 회전시켜 간섭 레이저광을 2차적으로 조사하는 단계; 및(d) 상기 간섭 레이저광을 2차적으로 조사한 요철이 형성된 포토레지스트를 현상하여, 광 결정 패턴 및 상기 요철의 단차에 의해 발생된 광의 위상 변이를 이용하여 라인 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 광 간섭을 이용한 미세 패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 상기 포토레지스트에 몰드로 핫 엠보싱 임프린팅(hot embossing imprinting)을 수행하는 것을 특징으로 하는 광 간섭을 이용한 미세 패턴 형성방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서 형성된 상기 라인 패턴은,상기 광 간섭 리소그래피에 의해 주기적으로 형성되는 상기 광 결정 패턴 사이에 동시에 형성되어, 광 신호의 광 전송을 수행하는 선 결함인 것을 특징으로 하는 광 간섭을 이용한 미세 패턴 형성방법
6 6
삭제
7 7
(a) 상기 청구항 제1항의 광 간섭을 이용한 미세 패턴의 형성 단계와;(b) 상기 (a) 단계에 의해 상기 광 결정 패턴 및 상기 라인 패턴이 형성된 상기 포토레지스트와 상기 기판을 플라즈마 애싱(ashing)하여 상기 포토레지스트 표면의 유기물을 분해하는 단계와;(c) 상기 포토레지스트 상부에 금속을 증착하고 상기 포토레지스트를 제거하여, 금속 광 결정 패턴 및 금속 라인 패턴을 형성하는 단계와;(d) 상기 금속 광 결정 패턴 및 상기 금속 라인 패턴을 반응성 이온 에칭으로 수행하여, 상기 기판 상에 상기 금속 광 결정 패턴 및 상기 금속 라인 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 광주과학기술원 선도연구센터육성사업 EUV/연x-선 초고속 나노 이미징 기술(2)(포항공대_윤화식)