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복수의 나노 로드가 전자 이동용 채널로 제공되는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014047672
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소스 및 드레인 전극으로서 Al, Ti과 같은 오믹 금속을 사용하고 FET의 채널로 ZnO를 사용하면서도 오믹 금속과 ZnO의 화학반응으로 인한 불순물 생성을 방지할 수 있는 구조의 전계 효과 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 전계 효과 트랜지스터의 제조방법은: 나노 로드 형성용 모기판 위에서 랜덤 네트워크 구조를 갖는 복수의 나노 로드를 성장시키는 단계; 소정의 패턴으로 패터닝된 나노 로드 픽업용 플레이트를 형성하는 단계; 상기 나노 로드 픽업용 플레이트를 이용하여 상기 복수의 나노 로드 중 적어도 일부의 나노 로드를 픽업하는 단계; 및 상기 적어도 일부의 나노 로드가 픽업된 픽업용 플레이트를 소스 전극 및 드레인 전극이 패터닝된 기판 위에 프린팅(printing)하여, 상기 적어도 일부의 나노 로드를 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치시키는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/66045(2013.01)
출원번호/일자 1020110054863 (2011.06.08)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0135951 (2012.12.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.08)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 강달영 대한민국 서울특별시 동작구
3 최지혁 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0428140-72
2 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0435604-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0007307-80
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0497985-12
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0880297-45
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0980728-45
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-1082213-59
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0078370-70
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0010359-99
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0387112-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 기판 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극과;상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에서 배치되는 전자 이동용 채널로서, 상기 전자 이동용 채널은 복수의 나노 로드가 유사 단일층 구조로 형성된 것인 전자 이동용 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 복수의 나노 로드는 ZnO인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 오믹 금속인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전계 효과 트랜지스터는 상기 전자 이동용 채널 위에 형성되는 유전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 전계 효과 트랜지스터는 상기 유전층 위에 형성되는 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
6 6
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 로드는 막대형 나노 로드인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
7 7
나노 로드 형성용 모기판 위에서 랜덤 네트워크 구조를 갖는 복수의 나노 로드를 성장시키는 단계;소정의 패턴으로 패터닝된 나노 로드 픽업용 플레이트를 형성하는 단계;상기 나노 로드 픽업용 플레이트를 이용하여 상기 복수의 나노 로드 중 적어도 일부의 나노 로드를 픽업하는 단계; 및상기 적어도 일부의 나노 로드가 픽업된 픽업용 플레이트를 소스 전극 및 드레인 전극이 패터닝된 기판 위에 프린팅(printing)하여, 상기 적어도 일부의 나노 로드를 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 복수의 나노 로드는 ZnO인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
9 9
청구항 7에 있어서, 또한, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 오믹 금속인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
10 10
청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은 상기 복수의 나노 로드 위에 유전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 방법은 상기 유전층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
12 12
청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 로드 형성용 모기판 위에서 성장한 복수의 나노 로드는 막대형 나노 로드인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
13 13
청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서, 나노 로드 형성용 모기판 위에서 랜덤 네트워크 구조를 갖는 복수의 나노 로드를 성장시키는 단계는 상기 모기판을 HMT(hexametyllenetetramine, C6H12N4) 와 Zn(NO3)2·6H2O이 동일하게 혼합된 혼합 용액에 침지하는 단계, 및 상기 혼합용액에 침지된 모기판을 75℃ 내지 85℃의 온도에서 2시간 내지 4시간 동안 유지시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 혼합용액의 농도는 0
15 15
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 로드 픽업용 플레이트의 적어도 상기 패터닝된 부분은 탄성 재료인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 탄성 재료는 PDMS(polydimethylsiloxane)인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 세계수준의 연구중심대학 육성사업 고성능 나노 물질 기반 IT 융합 기술
2 지식경제부 연세대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(정보통신) 차세대 고성능 유기나노 소재 및 프린팅 공정 기술 개발