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금속 산화물 나노선을 갖는 인버터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014049582
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 인버터는 제1 게이트 전극, 절연막, 절연막 상에 위치하는 제1 나노선, 및 제1 나노선의 양 단부와 각각 접촉하며 서로 이격하는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 전계 효과 트랜지스터; 및 제2 게이트 전극, 절연막, 절연막 상에 위치하는 제2 나노선, 및 제2 나노선의 양 단부와 각각 접촉하며 서로 이격하는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 전계 효과 트랜지스터를 포함하며, 제1 나노선과 제2 나노선의 지름은 서로 다르다. 이에 따라, 제1 및 제2 나노선들의 지름을 제어하여 다양한 동작 특성을 갖는 인버터를 쉽게 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 27/088 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 27/088(2013.01) H01L 27/088(2013.01) H01L 27/088(2013.01)
출원번호/일자 1020110027648 (2011.03.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1172729-0000 (2012.08.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 이득희 대한민국 대구광역시 달성군 옥포면 교

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0224966-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005651-24
4 등록결정서
Decision to grant
2012.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0447253-04
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
제1 게이트 전극, 상기 제1 게이트 전극 상에 형성된 절연막, 상기 절연막 상에 위치하는 제1 나노선, 및 상기 제1 나노선의 양 단부와 각각 접촉하며 서로 이격하는 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 전계 효과 트랜지스터; 및제2 게이트 전극, 상기 제2 게이트 전극 상에 형성된 상기 절연막, 상기 절연막 상에 위치하는 제2 나노선, 및 상기 제2 나노선의 양 단부와 각각 접촉하며 서로 이격하는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 전계 효과 트랜지스터를 포함하며,상기 제1 나노선과 상기 제2 나노선의 지름은 서로 다른 것을 특징으로 하는 인버터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전계 효과 트랜지스터들의 문턱 전압은 각각 상기 제1 및 제2 나노선들의 지름에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 인버터
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전계 효과 트랜지스터들은 각각 공핍형 트랜지스터 또는 증가형 트랜지스터 중 하나인 것을 특징으로 하는 인버터
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 나노선들은 아연(Zn), 주석(Sn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 지르코늄(Zr) 및 하프늄(Hf)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 반도체 또는 금속 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터
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기판 상에 제1 및 제2 게이트 전극들을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 게이트 전극들 상에 절연막을 형성하는 단계;나노선 성장 기판에 촉매 물질을 증착하여 서로 다른 지름을 갖는 상기 제1 및 제2 나노선들을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 나노선들을 상기 절연막 상에 위치시키는 단계; 및상기 제1 나노선의 양 단부와 각각 접촉하며 서로 이격되는 제1 소스 전극 및 제2 드레인 전극, 및 상기 제2 나노선의 양 단부와 각각 접촉하며 서로 이격되는 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 촉매 물질이 증착되는 두께를 조절하여 상기 제1 및 제2 나노선들의 두께를 제어하는 것을 특징으로 하는 인버터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.