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화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체의 제조 방법에 있어서,(a) 염화주석을 포함하는 전구체 용액을 준비하는 과정;(b) 상기 전구체 용액의 액적에 대하여 화염 분무 열분해법을 실시하여 결정성 나노입자의 다공성 구조를 갖는 주석산화물 반도체를 형성하는 과정을 포함하되,상기 주석산화물 반도체의 상기 결정성 나노입자는 상기 화학무기작용제 가스와 반응하여 상기 주석산화물의 전기 전도도를 변화시키도록 기능하는화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체의 제조 방법
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제1 항에 있어서, (a) 과정은(a1) 상기 염화주석을 상기 전구체로서 제공하는 과정; 및(a2) 상기 전구체를 물 또는 알코올의 용매에 용해시키는 과정을 포함하는화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,(b) 과정은(b1) 상기 전구체 용액의 액적을 비활성 운반 가스에 의해 운반하고, 화염에 주입시키는 과정; 및(b2) 상기 전구체 용액의 액적에 화염을 가하여, 상기 액적의 용매를 기화시키고 상기 주석산화물의 나노 입자를 형성하는 과정을 포함하는화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체의 제조 방법
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제3 항에 있어서,(b2) 과정은상기 화염이 인가됨으로써 상기 주석산화물의 미세입자가 형성되고,상기 형성된 주석산화물의 미세입자가 서로 응집 및 응고되어 10 내지 20 nm의 크기를 가지는 결정성 입자로 성장하는 과정을 포함하는 화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,화학무기작용제 가스는 G-계열의 신경 작용제인 것을 특징으로 하는 화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체의 제조 방법
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(a) 기판 상에 한 쌍의 전극 패턴을 형성하는 과정; 및(b) 상기 한 쌍의 전극 패턴 사이에 화학무기작용제 가스 감지용 주석산화물 반도체를 배치시키는 과정을 포함하되,상기 (b) 과정은화염 분무 열분해법에 의해, 염화주석의 전구체 용액으로부터 결정성 나노입자의 다공성 구조를 갖는 주석산화물 반도체를 기판에 형성하는 과정을 포함하는화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체 센서의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 주석산화물 반도체의 상기 결정성 나노입자는 10 내지 20 nm의 크기를 가지며, 화학무기작용제 가스와 반응할때 상기 주석산화물의 전기 전도도를 변화시키도록 기능하는화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체 센서의 제조 방법
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제6 항에 있어서, (b) 과정은(b1) 상기 전구체 용액의 액적을 비활성 운반 가스에 의해 운반하고, 화염에 주입시키는 과정; 및(b2) 상기 전구체 용액의 액적에 화염을 가하여, 상기 액적의 용매를 기화시키고 상기 주석산화물 반도체의 나노 입자를 형성하는 과정을 포함하는화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체 센서의 제조 방법
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제8 항에 있어서,(b2) 과정은상기 전구체 용액의 액적에 화염이 인가됨으로써 상기 주석산화물의 미세입자가 형성되고,상기 형성된 주석산화물의 미세입자가 서로 응집 및 응고되어 나노 크기의 결정성 입자로 성장하는 과정을 포함하는화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체의 제조 방법
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제6 항에 있어서,화학무기작용제 가스는 G-계열의 신경 작용제인 것을 특징으로 하는 화학무기작용제 가스 감지용 산화물 반도체 센서의 제조 방법
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