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크로스링크된 ＰＢＩ를 포함하는 연료전지용 고분자전해질막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014051266
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자와 크로스링크된 PBI 를 포함하는 고분자 전해질막, 그의 제조방법 및 상기 고분자 전해질막을 이용한 고분자 전해질막 연료전지에 관한 것이다. 고분자와 크로스링크된 PBI를 전해질막으로 사용함으로써 기존의 고분자 전해질막에서 PBI의 크기가 고온에서 줄어드는 문제를 해결할 수 있다. 이에 따른 성능 감소 문제도 해결할 수 있으므로 이러한 고분자를 고분자 전해질막으로 이용할 경우 높은 성능의 연료전지를 제작할 수 있다. 크로스링크, PBI, 고분자 전해질막 연료전지.
Int. CL H01M 8/10 (2010.01) H01M 8/02 (2010.01)
CPC H01M 8/103(2013.01) H01M 8/103(2013.01) H01M 8/103(2013.01) H01M 8/103(2013.01) H01M 8/103(2013.01)
출원번호/일자 1020060133691 (2006.12.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0773322-0000 (2007.10.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 이혜진 대한민국 서울 관악구
3 임태훈 대한민국 서울 송파구
4 이상엽 대한민국 서울 도봉구
5 윤성필 대한민국 경기 성남시 분당구
6 하흥용 대한민국 서울 노원구
7 조은애 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0961791-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0047020-46
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0565232-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 고분자 A
2 2
하기 화학식 1로 표시되는 고분자 A; 및폴리벤조이미다졸(PBI) 또는 폴리(2,5-벤즈이미다졸)(ABPBI)을 크로스링크 반응시킨 생성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
3 3
제2항에 있어서, 무기산이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 반응하는 고분자A : PBI의 중량비, 또는 고분자 A : ABPBI의 중량비는 1:10 ~ 10:1인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
5 5
제3항에 있어서, 상기 무기산은 인산, 질산, 염산 및 황산 중에 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
6 6
하기 화학식 1로 표시되는 고분자 A, 및 PBI 또는 ABPBI를 혼합하여 용매에 용해시키는 단계(S1); 상기 혼합물로 막을 캐스팅하는 단계(S2); 및상기 막에 UV를 조사하고 건조시키는 단계(S3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제조방법은 상기 S3 단계에서 건조된 막을 무기산에 담궈 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막 제조방법
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 S1 단계는 고분자 A 및 PBI, 또는 고분자 A 및 ABPBI를 1:10 내지 10:1의 중량비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 무기산은 인산, 질산, 염산 및 황산 중에 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막 제조방법
10 10
제2항 또는 제3항에 따른 고분자 전해질막;캐소드; 및애노드를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막 연료전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.